STK14EC8-TF45ITR 参数 Datasheet PDF下载

型号：	STK14EC8-TF45ITR
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内容描述：	512Kx8自动存储的nvSRAM [512Kx8 Autostore nvSRAM]
分类和应用：	存储静态存储器
文件页数/大小：	19 页 / 353 K
品牌：	SIMTEK [ SIMTEK CORPORATION ]

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STK14EC8

为了减少不必要的非易失性存储，自动存储

和硬件存储业务将被忽略

除非至少有一个写操作已

把自最近一次存储或调用

周期。启动软件商店周期是针对每个

形成无论是否写入操作

已经发生。 HSB的信号可以被监视

通过该系统，以检测一个自动存储周期是在

进展情况。

初步

从六个具体地址位置读周期

确切顺序。在STORE周期，以前的数据

被擦除，然后将新的数据被编程到

非易失性元素。一旦STORE周期

发起的，另一存储器的输入和输出是显示

禁止时，直到周期结束。

要启动的软件商店周期，以下

读序列必须执行：

1读地址

2读地址

3读地址

4读地址

5读地址

6读地址

0x4E38

0x83E0

0x703F

有效的读

0xB1C7有效的读

0x7C1F有效的读

0x8FC0启动STORE周期

五金店（ HSB ）操作

该STK14EC8提供了HSB引脚用于控制

和确认存储操作。该

HSB引脚可被用来请求五金店

周期。当HSB引脚驱动为低电平时，

STK14EC8将有条件地启动STORE能操作

吨后ATION

延迟

。实际STORE周期将只

首先，如果写入SRAM发生以来，

最后存储或调用周期。在HSB引脚有一个

极电阻上拉和内部驱动为低电平

表明处于忙碌状态，而STORE （启动

通过任何装置）正在进行中。该引脚应

外部上拉，如果它被用于驱动其他输入。

SRAM的读写操作都是在

当进度HSB被拉低，或当V

瀑布

低于V

开关

被给定的时间之前完成

启动存储操作。自动存储后或

HSB变为低电平时， STK14EC8将继续允许

对于T SRAM操作

延迟

。在t

延迟

，多

SRAM读取操作可能发生。如果一个写

正在进行时HSB被拉低，这将是

允许时间t

延迟

，即可完成。然而，任何

SRAM写周期要求后HSB变低

将被禁止，直到返回HSB高。

如果HSB不使用，应悬空。

一旦该序列中的第六个地址已

输入后， STORE周期将开始与

芯片将被禁用。重要的是读

周期，而不是写周期中使用

序列和G是活动的。之后的T

商店

周期

时间已经达成， SRAM将再次爱科特

氧基团的读取和写入操作。

软件RECALL

数据可从非易失性MEM-被转移

储器到SRAM由一个软件地址序列。一

软件RECALL周期开始于一个序列

的READ的方式操作类似于软

洁具STORE启动。要启动RECALL周期，

E的下列顺序控制或G CON-

受控读操作必须执行：

1读地址

2读地址

3读地址

4读地址

5读地址

6读地址

0x4E38

0x83E0

0x703F

0x4C63

有效的读

启动RECALL周期

0xB1C7有效的读

0x7C1F有效的读

硬件RECALL （上电）

在上电期间或之后的任何低功耗状态

＆ LT ; V

开关

），内部再调用请求将

锁存。当V

再次超过所述感

V的电压

开关

，召回周期将automati-

美云被启动，并将于吨

HRECALL

来完成。

软件商店

数据可以从SRAM被转移到非

易失性存储器由一个软件地址序列。

该STK14EC8软件商店周期开始

通过执行顺序E受控或G控制

在内部，召回是一个两步的过程。首先，

SRAM的数据被清除，第二， nonvola-

瓦片的信息被传输到SRAM单元。

的T后

召回

周期时间，该SRAM将再次

再次准备好READ或WRITE操作。该

在没有办法调用操作改变的数据

非易失性存储元件。必须小心

所以控制下降沿毛刺和指环免费

以免增加一倍时钟的读出地址。

文件控制＃ ML0060 1.1版

2008年1月

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