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STK15C68-PF25 参数 Datasheet PDF下载

STK15C68-PF25图片预览
型号: STK15C68-PF25
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内容描述: 8K ×8 AutoStore⑩的nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS非易失性静态RAM [8K x 8 AutoStore⑩ nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS Nonvolatile Static RAM]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 10 页 / 385 K
品牌: SIMTEK [ SIMTEK CORPORATION ]
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STK15C68
8K ×8
自动存储™
NVSRAM
QuantumTrap ™
CMOS
非易失性静态RAM
过时的 - 不推荐用于新Deisgns
特点
•非易失性存储,而电池问题
•可直接替代8K ×8静态RAM ,电池 -
支持RAM或EEPROM
•为25ns , 35ns的和为45nS访问时间
商店
通过发起非易失性元件
软件或
自动存储™
在掉电
召回
到SRAM启动的软件或
电力恢复
• 10毫安典型I
CC
在200ns的周期时间
•无限的读,写和
召回
周期
• 1,000,000
商店
周期为非易失性元素
MENTS
• 100年的数据保存在全部工业
温度范围
•从冲无数据丢失
•商业和工业温度
• 28引脚600或300万PDIP和350密耳SOIC
套餐
描述
该STK15C68是一个快速
SRAM
与非易失性元素
换货每个静态存储单元中。该
SRAM
可以读取和写入的数量不受限制
倍,而独立的非易失性数据驻留在
非易失性元件。从数据传输
SRAM
to
非易失性元素(
商店
操作)可
上电自动进行下使用充电
存储在系统容量。从非转移
挥发性元素的
SRAM
(该
召回
操作)
在电源恢复自动进行。倡
和灰
商店
召回
周期同样可以用来
通过对输入的控制序列受控
SRAM
输入。该STK15C68是引脚兼容8K ×8
SRAM
s和电池供电的
SRAM
S,可直接
替换并增强其性能。类似
装置( STK16C68 )与内部集成
电容器可用于系统具有非常快的转换
率。该STK12C68 ,它使用一个外部电容
器,是这些应用的替代。
框图
量子阱
128 x 512
V
CC
商店/
召回
控制
销刀豆网络gurations
NC
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
0
DQ
1
DQ
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A
5
行解码器
A
6
A
7
A
8
A
9
A
11
A
12
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
商店
静态RAM
ARRAY
128 x 512
召回
动力
控制
软件
检测
输入缓冲器
列I / O
COLUMN DEC
A
0
- A
12
V
CC
W
NC
A
8
A
9
A
11
G
A
10
E
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
28 - 300 PDIP
28 - 600 PDIP
28 - 350 SOIC
引脚名称
A
0
- A
12
W
地址输入
写使能
IN / OUT数据
芯片使能
OUTPUT ENABLE
电源(+ 5V)的
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
10
DQ
0
- DQ
7
G
E
W
E
G
V
CC
V
SS
2006年3月
1
文件控制# ML0009修订版0.2