欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

STK16C68-W35I 参数 Datasheet PDF下载

STK16C68-W35I图片预览
型号: STK16C68-W35I
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 8K ×8 AutoStorePlus⑩的nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS非易失性静态RAM [8K x 8 AutoStorePlus⑩ nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS Nonvolatile Static RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 10 页 / 383 K
品牌: SIMTEK [ SIMTEK CORPORATION ]
 浏览型号STK16C68-W35I的Datasheet PDF文件第2页浏览型号STK16C68-W35I的Datasheet PDF文件第3页浏览型号STK16C68-W35I的Datasheet PDF文件第4页浏览型号STK16C68-W35I的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STK16C68-W35I的Datasheet PDF文件第6页浏览型号STK16C68-W35I的Datasheet PDF文件第7页浏览型号STK16C68-W35I的Datasheet PDF文件第8页浏览型号STK16C68-W35I的Datasheet PDF文件第9页  
STK16C68
8K ×8
AutoStorePlus ™
NVSRAM
QuantumTrap ™
CMOS
非易失性静态RAM
过时的 - 不推荐用于新设计
特点
•内部电容担保
自动存储™
无论掉电压摆率
•非易失性存储,而电池问题
•可直接替代8K ×8静态RAM ,电池 -
支持RAM或EEPROM
•为25ns , 35ns的和为45nS访问时间
商店
通过发起非易失性元件
软件或
AutoStorePlus ™
在掉电
召回
到SRAM启动的软件或
电力恢复
• 10毫安典型I
CC
在200ns的周期时间
•无限的读,写和
召回
周期
• 1,000,000
商店
周期为非易失性元素
MENTS
• 100年的数据保存在全部工业
温度范围
•从冲无数据丢失
•商业和工业温度
• 28引脚600密耳PDIP封装
描述
该STK16C68是一个快速
SRAM
与非易失性元素
换货每个静态存储单元中。该
SRAM
可以读取和写入的数量不受限制
倍,而独立的非易失性数据驻留在
非易失性元件。从数据传输
SRAM
to
非易失性元素(
商店
操作)可
在断电时自动发生。内部
电容保证
商店
无论操作
掉电摆率。从Nonvola-转移
瓦片元素的
SRAM
(该
召回
操作)取
自动放置在电源恢复。引发
of
商店
召回
循环也可以通过控制
对进入控制序列
SRAM
输入。该
STK16C68是引脚兼容8K ×8
SRAM
S和
电池支持
SRAM
S,可直接替换
同时提高性能。该STK12C68 ,这
使用一个外部电容器,和STK15C68 ,这
使用充电储存在系统容量,是替代方案
当地人对系统的需要
自动存储™
操作。
框图
量子阱
128 x 512
V
CC
商店/
召回
控制
销刀豆网络gurations
NC
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
0
DQ
1
DQ
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A
5
行解码器
A
6
A
7
A
8
A
9
A
11
A
12
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
商店
静态RAM
ARRAY
128 x 512
召回
动力
控制
国内
电容
V
CC
W
NC
A
8
A
9
A
11
G
A
10
E
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
28 - 600 PDIP
输入缓冲器
列I / O
COLUMN DEC
软件
检测
A
0
- A
12
引脚名称
A
0
- A
12
W
地址输入
写使能
IN / OUT数据
芯片使能
OUTPUT ENABLE
电源(+ 5V)的
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
10
DQ
0
- DQ
7
G
E
W
E
G
V
CC
V
SS
2006年3月
1
文件控制# ML0010修订版0.2