STK16C88
操作的nvSRAM
该自动存储+ STK16C88是一个快速32K ×8 SRAM
不输在掉电数据。数据
在整体QuantumTrap非易失性被保留
存储元件，当电源中断。自动
存储在掉电和自动召回
无需使用电时保证数据的完整性
电池。
自动存储+操作
该STK16C88对掉电自动STORE
是完全透明的系统。该
STORE启动时间小于500ns的电源时，
丢失（Ⅴ
CC
＆ LT ; V
开关
）将部分取决于在这一点
仅在其内部电容STORE完成。
如果电源比下降20快
μS/伏
之前的Vcc达到vSwitch时，那么2.2欧姆的电阻
应该Vcc和日支持系统之间插入
帘布层，以避免之间的瞬时过电流的
Vcc和内部电容。
为了防止不必要的存储操作，
自动存储将被忽略，除非至少
自所述一个WRITE操作已经发生
最近存储或调用周期。软件
开始的存储周期，无论执行
的写操作是否已经发生。
噪声考虑
注意， STK16C88是一个高速存储
因此必须有一个高频旁路电容
大约0.1μF连接V之间器
CC
和V
SS
使用动态迹线是短
可能。与所有高速
CMOS
集成电路，正常
小心路由电源，接地和信号将有助于
防止噪音的问题。
SRAM读
该STK16C88执行
读
周期时ê
和G是低和W是高的。地址特定网络版
对引脚
0-14
确定哪个32768的数据
字节将被访问。当
读
启动
由地址转换时，输出将是有效
吨的延迟之后
AVQV
(
读
循环＃1） 。如果
读
is
用E或G发起，输出将在t有效
ELQV
or
在T
GLQV
，以较迟者为准（
读
周期＃2）。数据
输出将反复响应地址变更
内的T
AVQV
无需转录存取时间
在任何控制输入引脚位数，并会继续有效
直到另一个地址变更，或直到E或G是
拉高。
上电
召回
上电时，或在任何低功耗状态
(V
CC
＆ LT ; V
RESET
），内部再调用请求将
锁存。当V
CC
再次超过所述感
V的电压
开关
，召回周期将自动
发起并会采取吨
恢复
来完成。
如果STK16C88处于写状态时的端
电还记得， SRAM数据将cor-
rupted 。为了避免这种情况，一个10kΩ电阻
应连接要么之间W和系统
V
CC
或E和System V之间
CC
.
SRAM写
A
写
循环执行时E和W分别
低。地址输入之前必须是稳定的
进入
写
周期，必须保持稳定
直到东或者西变高，在该周期的结束。
对通用I数据输入/输出引脚DQ
0-7
将令状
10到存储器，如果它是有效吨
DVWH
年底前
一个W的控制
写
或T
DVEH
的年底前
E受控
写
.
建议使得G保持高时的
整个
写
周期，以避免数据总线争用
常见的I / O线。若G是左低，内部电路
将关闭输出缓冲器吨
WLQZ
W¯¯后变低。
软件非易失
商店
该STK16C88软件商店周期开始
从6 spe-执行顺序的读周期
cific地址位置。在STORE周期，
以前的非易失性的数据被擦除，然后将
SRAM的内容写入到所述非易失性stor-
年龄因素。一旦一条STORE周期开始，进一
疗法的输入和输出被禁止，直到循环
完成。
因的序列，从特定读和写
地址被用于商店起爆，它一点很
坦没有其他的读或写访问接口
vene序列中或序列将是
中止，并没有存储或调用将如期举行。
要启动的软件商店周期，以下
读
序列必须执行：
文件控制＃ ML0018版本0.3
2007年2月，
8
SIMTEK [ SIMTEK CORPORATION ]
