STK22C48 参数 Datasheet PDF下载

型号：	STK22C48
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内容描述：	2Kx8自动存储的nvSRAM [2Kx8 AutoStore nvSRAM]
分类和应用：	存储静态存储器
文件页数/大小：	16 页 / 340 K
品牌：	SIMTEK [ SIMTEK CORPORATION ]

STK22C48

操作的nvSRAM

该STK22C48有两个独立的操作模式

化：

SRAM

模式和非易失性模式。在

SRAM

模式，内存作为一个标准的快速静态

内存

。在不消失模式，数据从传送

SRAM

到非易失性元素（

商店

操作

化）或非易失性元件来

SRAM

（该

召回

操作）。在此模式下

SRAM

功能

禁用。

上电

召回

上电时，或在任何低功耗状态

帽

＆ LT ; V

RESET

），内部

召回

请求将被

锁存。当V

帽

再次超过所述感

V的电压

开关

, a

召回

循环会自动

发起并会采取吨

恢复

来完成。

如果STK22C48是在一个

写

状态时的端

上电

召回

中，

SRAM

数据将被破坏。

为了避免这种情况，一个10K欧姆的电阻

应连接要么之间W和系统

或E和System V之间

噪声考虑

该STK22C48是一个高速存储器等

必须具有的高频旁路电容器

大约0.1μF连接V之间

帽

和

使用线索和痕迹是短POS-

sible 。与所有高速

CMOS

集成电路，正常的护理 -

电源，接地和信号FUL路由将有助于

防止噪音的问题。

自动存储模式

该STK22C48可以在三个中的一个被供电

模式。

在正常的自动存储操作中， STK22C48

将利用电流从V

充电电容CON-

，连接到该V

帽

引脚。此存储的电荷会

所使用的芯片执行单

商店

操作

化。上电后，当上了V的电压

帽

引脚低于V

开关

，该部分将自动

断开V

帽

引脚从V

并启动

商店

操作。

图2示出的电容器的适当连接

自动存储操作。电荷存储

具有68μF和之间的一个电容的电容器

220μF （ ± 20％）的额定电压为6V ，应提供。

在系统上电模式下， V

和V

帽

是CON-

连接至无68μF的+ 5V电源

电容。在这种模式下的所述自动存储功能

SRAM读

该STK22C48执行

读

周期时ê

和G是低和W和HSB高。该

地址引脚上的一个特定的编

0-10

确定其中

在2048个数据字节将被访问。当

读

由地址转换启动的，则输出

吨的延迟后卖出期权的有效期

AVQV

(

读

周期

＃1）。如果

读

用E或G发起，输出将

是在t有效

ELQV

或者在t

GLQV

，以较迟者为准（

读

周期＃2）。数据输出将反复回应

内的T地址变更

AVQV

无需访问时间

需要进行任何控制输入引脚的转换，并

将继续有效，直到另一个地址变更，或直至

E或G被拉高，或W或HSB变为低电平。

SRAM写

写

循环执行时E和W分别

LOW和HSB高。地址输入必须是

稳定之后才能进入

写

周期和必须的

保持稳定，直到东或者西变高的

循环的结束。对通用I / O引脚的数据

0-7

将被写入到存储器，如果它是有效吨

DVWH

在W的端部控制的前

写

或T

DVEH

一个E年底前控制

写

建议使得G保持高时的

整个

写

周期，以避免数据总线争用

通用I / O线。若G是左低，内部电路

将关闭输出缓冲器吨

WLQZ

W¯¯后变低。

10k

Ω∗

10k

μF

6v, ±20%

0.1

μF

绕行

图2 ：自动存储模式

*如果HSB不使用，应悬空。

文件控制＃ ML0004版本2.0

2008年2月

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