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U631H64BSK35 参数 Datasheet PDF下载

U631H64BSK35图片预览
型号: U631H64BSK35
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内容描述: SoftStore 8K ×8的nvSRAM [SoftStore 8K x 8 nvSRAM]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 13 页 / 132 K
品牌: SIMTEK [ SIMTEK CORPORATION ]
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过时的 - 不推荐用于新设计
U631H64
SoftStore
8K ×8的nvSRAM
特点
高性能CMOS非易失
挥发性静态RAM 8192 ×8位
25 , 35和45 ns的访问时间
12 , 20和25 ns输出使能
访问时间
软件商店启动
(存储周期时间< 10毫秒)
自动定时商店
10
5
商店循环到EEPROM
10年的数据保留
EEPROM
自动恢复开机时
软件启动召回
( RECALL周期时间< 20
μs)
从无限RECALL周期
EEPROM
无限的读取和写入
SRAM
采用5 V单
±
10 %操作
工作温度范围:
0到70
°C
-40到85
°C
QS 9000质量标准
根据ESD特性
MIL STD 883C M3015.7 , HBM
(分类见IC代码
号)
符合RoHS标准,并有铅免费
封装: PDIP28 ( 300万)
SOP28 ( 330万)
描述
该U631H64有两个独立的
的操作模式: SRAM的模式
和非易失性模式。在SRAM
模式下,存储器操作为
普通的静态RAM 。在非易失
操作中,数据在传送
从SRAM并行EEPROM或
从EEPROM来SRAM 。在这
模式SRAM功能disab-
LED 。
该U631H64是一个快速静态RAM
(25 ,35, 45纳秒) ,具有非易失性的
ELECTRICALLY
可擦写
舞会
(EEPROM)中的元素引入
在每个静态存储器单元。该
SRAM可以读取和写入的
无限次,而
独立的非易失性数据住宅建设
沙漠中的EEPROM 。数据传输
从SRAM到EEPROM
(对STORE操作) ,或者从
EEPROM来对SRAM (在
RECALL操作)发起
通过软件序列。
该U631H64结合了高
性能和易用性的一个的
快速SRAM与非易失性数据
诚信。
一旦一条STORE周期开始,
进一步的输入或输出被禁用
直到周期结束。
因为地址序列
用于商店开始,它是
重要的是,没有任何其他读或
写访问干预
序列或该序列将是
中止。
在内部,召回是一个两步
过程。首先,该SRAM的数据是
清零;第二, nonvola-
瓦片的信息被转移到
SRAM单元。
在没有办法调用操作
改变的数据在EEPROM中
细胞。非易失性数据可以是
召回的数量不受限制
次。
引脚配置
北卡罗来纳州
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
VCC
W
北卡罗来纳州
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
引脚说明
信号名称
A0 - A12
DQ0 - DQ7
E
G
W
VCC
VSS
信号说明
地址输入
IN / OUT数据
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源电压
PDIP
22
SOP
21
20
19
18
17
16
15
顶视图
2006年3月31日
沙头角管制# ML0045
1
1.0版