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U631H64BSC45 参数 Datasheet PDF下载

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型号: U631H64BSC45
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内容描述: SoftStore 8K ×8的nvSRAM [SoftStore 8K x 8 nvSRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 13 页 / 132 K
品牌: SIMTEK [ SIMTEK CORPORATION ]
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U631H64
符号
号软件控制的存储/调用
周期
L,N
25存储/调用启动时间
26芯片使能到输出无效
o
27 STORE周期时间
p
28 RECALL周期时间
q
29地址设置到芯片使能
r
30芯片使能脉冲宽度
R,S
31芯片禁用到地址变更
r
Alt键。
IEC
25
35
45
单位
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。
t
AVAV
t
ELQZ
t
ELQXS
t
ELQXR
t
AVELN
t
ELEHN
t
EHAXN
t
cR
t
DIS ( E) SR
t
ð (E )S
t
ð (E )R
t
SU( A) SR
t
W( E) SR
t
H( A) SR
25
600
10
20
0
20
0
35
600
10
20
0
25
0
45
600
10
20
0
35
0
ns
ns
ms
μs
ns
ns
ns
n:
o:
p:
q:
r:
s:
该软件序列主频与E受控的读取。
一旦软件控制的存储或调用周期开始,它会自动完成,忽略所有输入。
需要注意的是STORE周期(但不记得),通过V中止
CC
& LT ; V
开关
( STORE禁止) 。
自动RECALL也发生在上电时,V启动时
CC
超过V
开关
并采取吨
恢复
. V
CC
不得低于
V
开关
一旦被突破召回才能正常工作。
噪音在E引脚可以触发多个读周期,从相同的地址和终止地址序列。
如果芯片使能脉冲宽度小于吨
一( E)
(见读周期),但大于或等于吨
W( E) SR
,比该数据可能不是在有效
低脉冲的结尾,但在存储或调用将仍然被启动。
软件控制的存储/调用循环
R,S , T,U
( E = STORE开始后高)
t
cR
(25)
t
cR
(25)
地址6
t
W( E) SR
(31)
t
H( A) SR
(30)
(31)
Ai
E
t
SU( A) SR
(29)
地址1
t
W( E) SR
(30)
DQI
产量
t
H( A) SR
t
SU( A) SR
(29)
t
DIS ( E)
(5)
t
ð (E )S
(27)
t
ð (E )R
(28)
有效
t
DIS ( E) SR
(26)
高阻抗
有效
软件控制的存储/调用循环
R,S , T,U
( STORE开始后E = LOW )
t
cR
(25)
Ai
E
t
SU( A) SR
(29)
地址1
t
W( E) SR
(30)
(31)
t
H( A) SR
(29)
地址6
t
H( A) SR
(31)
DQI
产量
t
SU( A) SR
t
ð (E )S
(27)
t
ð (E )R
(28)
高阻抗
有效
有效
t
DIS ( E) SR
(26)
则W必须为高电平时, E为低以便启动非易失性周期的地址序列中。 G可以是高或低
贯穿始终。地址1至6中发现的模式选择表。地址6确定是否U631H64执行STORE
或召回。
U: E必须用于时钟的软件控制STORE和RECALL周期的地址序列。
t:
沙头角管制# ML0045
8
1.0版
2006年3月31日