U635H256S2K25G1 参数 Datasheet PDF下载

型号：	U635H256S2K25G1
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内容描述：	POWERSTORE 32K ×8 NVSRAM [PowerStore 32K x 8 nvSRAM]
分类和应用：	内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小：	14 页 / 260 K
品牌：	SIMTEK [ SIMTEK CORPORATION ]

U635H256

不建议用于新设计

特点

高性能CMOS非

挥发性静态RAM 32768 ×8位

25 ns访问时间

10 ns输出使能访问

时间

= 15毫安（典型值）。在200 ns的周期

时间

自动STORE到EEPROM

使用系统关机的

电容

启动软件商店

自动定时商店

商店循环到EEPROM

百年中的数据保留

EEPROM

自动恢复开机时

软件启动召回

从无限RECALL周期

EEPROM

采用5 V单

10 ％操作

工作温度范围：

0到70

°C

-40到85°C

QS 9000质量标准

ESD保护> 2000伏

（ MIL STD 883C M3015.7 - HBM ）

符合RoHS标准，并有铅免费

包装： SOP28 （ 330万）

描述

该U635H256有两个独立的

的操作模式： SRAM的模式

和非易失性模式。在SRAM

模式下，存储器操作为

普通的静态RAM 。在非易失

操作中，数据在传送

从SRAM并行EEPROM或

从EEPROM来SRAM 。在这

模式SRAM功能disab-

LED 。

该U635H256是一个快速静态RAM

（ 25纳秒），具有非易失性electri-

美云可擦除PROM（ EEPROM）中

在每个静态元素结合

存储单元。该SRAM可

读取和写入无限num-

误码率的倍，而独立

非易失性

数据

所在

EEPROM 。从数据传输

SRAM到EEPROM （在

STORE操作）发生自动

matically后断电使用

电荷存储在电容系统

距离。

转帐

从

该

EEPROM来对SRAM （在

RECALL操作）发生

自动上电。该

U635H256结合了高性

性能和易用性快的

SRAM与非易失性数据英特

引脚说明

VCC

A13

A11

A10

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

PowerStore

32K ×8的nvSRAM

grity 。

商店周期也可以是倡

通过软在用户控制下特德

洁具序列。

一旦一条STORE周期开始，

进一步的输入或输出被禁用

直到周期结束。

因为地址序列

用于商店开始，它是

重要的是，没有任何其他读或

写访问干预

序列或该序列将是

中止。

RECALL周期也可能是倡

泰德通过软件序列。

在内部，召回是一个两步

过程。首先，该SRAM的数据是

清零;第二， nonvola-

瓦片的信息被转移到

SRAM单元。

在没有办法调用操作

改变的数据在EEPROM中

细胞。非易失性数据可以是

召回的数量不受限制

次。

该U635H256引脚兼容

与标准的SRAM 。

引脚配置

A14

A12

DQ0

DQ1

DQ2

VSS

信号名称

A0 - A14

DQ0 - DQ7

VCC

VSS

信号说明

地址输入

IN / OUT数据

芯片使能

OUTPUT ENABLE

写使能

电源电压

地

SOP

顶视图

2006年8月15日

沙头角管制＃ ML0051

版本1.1

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