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UL634H256SC45G1 参数 Datasheet PDF下载

UL634H256SC45G1图片预览
型号: UL634H256SC45G1
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内容描述: 低电压POWERSTORE 32K ×8 NVSRAM [Low Voltage PowerStore 32K x 8 nvSRAM]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 15 页 / 352 K
品牌: SIMTEK [ SIMTEK CORPORATION ]
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UL634H256
不建议用于新设计
特点
高性能CMOS非易失
挥发性静态RAM 32768 ×8位
35和45 ns的访问时间
15和20 ns输出使能
访问时间
I
CC
= 8毫安典型。在200 ns的周期
时间
自动STORE到EEPROM
在使用外部电源关闭
电容
启动软件商店
自动定时商店
10
6
商店循环到EEPROM
百年中的数据保留
EEPROM
自动恢复开机时
软件启动召回
从无限RECALL周期
EEPROM
宽电压范围: 2.7 ... 3.6 V
( 3.0 ... 3.6 V 35 ns的类型)
工作温度范围:
0至70℃
-40到85°C
-40至125℃的
QS 9000质量标准
ESD保护> 2000伏
( MIL STD 883C M3015.7 - HBM )
符合RoHS标准,并有铅免费
包装: 32 SOP ( 300万)
低电压
PowerStore
32K ×8的nvSRAM
描述
该UL634H256有两个独立的
的操作模式: SRAM的模式
和非易失性模式。在SRAM
模式下,存储器操作为
普通的静态RAM 。在非易失
操作中,数据在传送
从SRAM并行EEPROM或
从EEPROM来SRAM 。在这
模式SRAM功能disab-
LED 。
该UL634H256是一个快速静态
的RAM (35和45纳秒) ,具有nonvo-
latile电可擦除PROM
(EEPROM)中的元素引入
在每个静态存储器单元。该
SRAM可以读取和写入的
无限次,而
独立的非易失性数据住宅建设
沙漠中的EEPROM 。
从SRAM数据传输
在EEPROM (存储操作
化)自动拍摄时发生
关机充电使用存储在
外部68
μF
电容。反
从EEPROM的FERS
SRAM (调用操作)
上电自动发生
了。
该UL634H256结合
高的性能和易用性
一个快速的SRAM与非易失性
数据的完整性。
商店周期也可以是倡
通过软在用户控制下特德
洁具序列或通过一个引脚
( HSB ) 。
一旦一条STORE周期开始,
进一步的输入或输出被禁用
直到周期结束。
因为地址序列
用于商店开始,它是
重要的是,没有任何其他读或
写访问干预
序列或该序列将是
中止。
RECALL周期也可能是倡
泰德通过软件序列。
在内部,召回是一个两步
过程。首先,该SRAM的数据是
清零;第二, nonvola-
瓦片的信息被转移到
SRAM单元。
在没有办法调用操作
改变的数据在EEPROM中
细胞。非易失性数据可以是
召回的数量不受限制
次。
引脚配置
引脚说明
信号名称
VCAP
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
北卡罗来纳州
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCCX
HSB
W
A13
A8
A9
A11
G
北卡罗来纳州
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
信号说明
地址输入
IN / OUT数据
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源电压
电容
硬件控制存储/忙
A0 - A14
DQ0 - DQ7
E
G
W
VCCX
VSS
VCAP
HSB
SOP
顶视图
2006年8月15日
沙头角管制# ML0058
1
版本1.1