过时的 - 不推荐用于新设计
UL635H256
低电压
PowerStore
32K ×8的nvSRAM
特点
描述
该UL635H256有两个独立的
的操作模式： SRAM的模式
和非易失性模式。在SRAM
模式下，存储器操作为
普通的静态RAM 。在非易失
操作中，数据在传送
从SRAM并行EEPROM或
从EEPROM来SRAM 。在这
模式SRAM功能disab-
LED 。
该UL635H256是一个快速静态
的RAM （35和45纳秒） ，具有nonvo-
latile电可擦除PROM
（EEPROM）中的元素引入
在每个静态存储器单元。该
SRAM可以读取和写入的
无限次，而
独立的非易失性数据住宅建设
沙漠中的EEPROM 。数据传输
从SRAM到EEPROM
（实体店经营）发生
时自动断电
利用电荷存储在系统
电容。从转移
EEPROM来对SRAM （在
RECALL操作）发生
自动上电时。
该UL635H256结合
高的性能和易用性
一个快速的SRAM与非易失性
数据的完整性。
商店周期也可以是倡
通过软在用户控制下特德
洁具序列。
一旦一条STORE周期开始，
进一步的输入或输出被禁用
直到周期结束。
因为地址序列
用于商店开始，它是
重要的是，没有任何其他读或
写访问干预
序列或该序列将是
中止。
RECALL周期也可能是倡
泰德通过软件序列。
在内部，召回是一个两步
过程。首先，该SRAM的数据是
清零;第二， nonvola-
瓦片的信息被转移到
SRAM单元。
在没有办法调用操作
改变的数据在EEPROM中
细胞。非易失性数据可以是
召回的数量不受限制
次。
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高性能CMOS非易失
挥发性静态RAM 32768 ×8位
35和45 ns的访问时间
15和20 ns输出使能
访问时间
I
CC
= 8毫安典型。在200 ns的周期
时间
自动STORE到EEPROM
使用系统关机的
电容
启动软件商店
自动定时商店
10
6
商店循环到EEPROM
百年中的数据保留
EEPROM
自动恢复开机时
软件启动召回
从无限RECALL周期
EEPROM
宽电压范围： 2.7 ... 3.6 V
（ 3.0 ... 3.6 V 35 ns的类型）
工作温度范围：
0至70℃
-40到85°C
QS 9000质量标准
ESD保护> 2000伏
（ MIL STD 883C M3015.7 - HBM ）
符合RoHS标准，并有铅免费
包装： SOP28 （ 330万）
引脚配置
引脚说明
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
SOP
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
W
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
G
A11
A9
A8
A13
W
ñ。 Ç 。
VCC
ñ。 Ç 。
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
TSOP
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
北卡罗来纳州
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
北卡罗来纳州
信号名称
A0 - A14
DQ0 - DQ7
E
G
W
VCC
VSS
信号说明
地址输入
IN / OUT数据
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源电压
地
顶视图
顶视图
2006年3月31日
沙头角管制＃ ML0059
1
1.0版
SIMTEK [ SIMTEK CORPORATION ]
