®
SP6120B
低电压， AnyFET
TM
，同步，降压控制器
非常适合2A至10A，高性能， DC-DC电源转换器
■
优化了对单电源， 3V - 5.5V的应用
N / C 1
16 BST
■
高效率：大于95 ％的可能
15 GH
启用2
■
"AnyFET
TM"
技术：可切换无论是
14 SWN
3
ISP
SP6120B
PFET或者NFET的高侧开关
13 GND
ISN 4
■
可选择断续或连续导通
16引脚TSSOP
12 PGND
V
FB
5
模式
11 GL
COMP 6
■
从窗口比较器快速瞬态响应
10 V
CC
SS 7
■
16引脚TSSOP封装，体积小
9 PROG
R
OSC
8
■
精确的1 ％参考整个电压，负载和温度
■
精确的10 ％频率
现在可以在无铅封装
■
精准，轨至轨， 43mV ，过电流检测
应用
■
电阻可编程频率
■
DSP
■
电阻器可编程输出电压
■
微处理器内核
■
低静态电流： 950μA ， 10μA的停机
■
I / O &逻辑
■
打嗝过流保护
■
工业控制
■
电容可编程软启动
■
分布式电源
■
保证升压电压提升高端NFET
■
低压电力
描述
该SP6120B是一个固定的频率，电压模式，同步PWM控制器设计为
从单一5V或3.3V输入电源工作。 Sipex的独特"AnyFET
TM"
技术允许
用于解决多种价格/性能折衷的SP6120B 。这是
通过为提供精确的第一控制器从所述PWM控制器市场分开，
速度，柔韧性，保护和效率在宽范围的操作条件。
NMOS高边驱动器
PROG = GND
NC
启用
启用
ISP
ISN
V
FB
COMP
RZ
15k
CP
100pF
CZ
4.7nF
C
SS
0.33µF
SS
R
OSC
R
OSC
18.7k
®
MBR0530
C
B
1µF
QT
3.3V
V
IN
C
IN
330μF ×2
CS
39nF
1.9V
1A至8A
V
OUT
PMOS高边驱动器
PROG = V
CC
NC
启用
启用
ISP
ISN
®
3.3V
V
IN
C
IN
330μF ×2
QT1
RS
22.1k
L1
2.5µH
CS
39nF
1.9V
1A至8A
V
OUT
BST
GH
SWN
GND
C
BST
1µF
BST
GH
SWN
GND
RS
22.1k
L1
2.5µH
SP6120B
SP6120B
保护地
GL
V
CC
PROG
CV
CC
2.2µF
RI
10k
V
IN
QB
DS
C
OUT
470μF ×3
V
FB
COMP
RZ
15k
CP
100pF
CZ
4.7nF
C
SS
0.33µF
SS
R
OSC
R
OSC
18.7k
保护地
GL
V
CC
PROG
CV
CC
2.2µF
RI
10k
V
IN
QB
DS
C
OUT
470μF ×3
RF
5.23k
RF
5.23k
QT ， QB = FAIRCHILD FDS6690A
QT1 = FAIRCHILD FDS6375 （ PMOS只）
L1 = PANASONIC ETQP6F2R5SFA
日期： 04年5月25日
DS = STMICROELECTRONICS STPS2L25U
C
IN
=三洋6TPB330M
C
OUT
=三洋4TPB470M
©2004年的Sipex公司
SP6120B低电压， AnyFET
TM
，同步，降压控制器
1
SIPEX [ SIPEX CORPORATION ]
