工作原理：继续
过电流保护
在对SP6121电流保护是imple-
通过检测过电压的mented
在整个高端PMOS开关状态
在导通。这通常被称为
高侧R
DS （ ON）
检测并消除了
需要一个外部检测电阻器。过
目前比较费内部SAM-
每次V耦电容
（ ISET ）
- V
（ ISENSE ）
超过160mV的（典型值）的内部阈值和
在PDRV电压低。放/充电
上采样电容的电流比为约
2％。因此，只要该过电流
问题仍然存在，电容电压会
在每次PDRV开关打气
低。此电压将触发一个过电流
在到达CMOS反相器阈值条件
老了。有许多优点，这种方
proach 。首先，门控S的过滤作用/
H方案可防止虚假和不理想
触发到可能发生在一个较小的转录
过性超载情况下或电源线上的噪声。
此外，时间的合计量来触发
故障取决于所述PMOS的导通时间
开关。十，为1μs脉冲相当于20 ，
500ns的脉冲或1 ，为10μs的脉冲，但是，去
等候期间，每个场景需要
不同量的总时间来触发故障。
因此，故障变的指标
平均功率在所述PMOS开关。
虽然160 mV的内部阈值是固定的，
整体ř
DS （ ON）
检测电压可以是
增加了放置一个电阻，从我
SET
对
来源PMOS的。一个30μA的吸收电流亲
克的额外电压。
为了使电流限制电路进行操作
且正确的，则我
SET
我
SENSE
引脚
必须是开尔文连接到高侧
PMOS管的源极和漏极引脚。
在160mV的阈值和30μA我
SET
当前
在3300 PPM / ° C的温度系数
为了第一顺序相匹配的热字符
中的R开创性意义
DS （ ON）
的PMOS开关。它
假定SP6121将在的COM可使用
协议设计的，其中有一个高的量的
PMOS和之间的热耦合的
控制器。
输出驱动器
该SP6121 ，不像一些其他的双极性控制 -
LER集成电路，集成与轨到栅极驱动器
轨摆动，有助于防止因误转
电容性耦合。所述驱动器级包括
一个高端PMOS ，驱动4Ω ， PDRV ，并
一个低端， 4Ω ， NFET司机， NDRV ， opti-
而得到优化用于驱动外部功率MOSFET在
同步降压拓扑结构。输出driv-
ERS还提供栅极驱动非重叠机器人 -
NISM提供PDRV之间的死区时间
和NDRV转换，以避免潜在的拍摄开启
通过外部MOSFET的问题。
图3示出了用于输出的典型波形
驱动程序。如同所有的同步设计，呵护
必须注意确保该MOSFET是
适当地选择用于非重叠时间， enhance-
“关于”电阻R换货的栅极驱动电压，
DS （ ON）
,
反向传输电容的Crss ，输入电压
和最大输出电流。
栅极驱动器测试条件
5V
90 %
下降时间
VCC - 2 V
非重叠
PDRV （ NDRV ）
10 %
5V
90 %
上升时间
2V
10 %
NDRV （ PDRV ）
V(V
CC
)
PDRV
电压
0V
V(V
CC
)
NDRV
电压
0V
V(V
CC
=V
IN
)
SWN
电压
~0V
- V（二极管）V
时间
图3. SP6121输出驱动波形。
日期： 04年5月25日
SP6121低电压同步降压PWM控制器
©2004年的Sipex公司
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