SBL3030CT 参数 Datasheet PDF下载

型号：	SBL3030CT
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内容描述：	肖特基势垒二极管肖特基势垒二极管，低压降肖特基势垒二极管低VF肖特基势垒二极管， TJ = -40 ° C〜 125°C ， TJM = 125°C 。 [肖特基势垒二极管Schottky Barrier Diodes，低压降肖特基势垒二极管Low VF Schottky Barrier Diodes，Tj = -40°C ~ 125°C, Tjm = 125°C。]
分类和应用：	二极管
文件页数/大小：	2 页 / 101 K
品牌：	SIRECTIFIER [ SIRECTIFIER SEMICONDUCTORS ]

SBL3030CT thru SBL3040CT

Low V

Schottky Barrier Rectifiers

PEAK FORWARD SURGE CURRENT,

AMPERES

FIG.1 - FORWARD CURRENT DERATING CURVE

AVERAGE FORWARD CURRENT

AMPERES

FIG.2 - MAXIMUM NON-REPETITIVE SURGE CURRENT

300

250

200

150

100

RESISTIVE OR INDUCTIVE LOAD

8.3ms Single Half-Sine-Wave

(JEDEC METHOD)

100

125

150

175

CASE TEMPERATURE , C

NUMBER OF CYCLES AT 60Hz

FIG.3 - TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS

100

FIG.4 - TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS

100

INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT ,(A)

INSTANTANEOUS

REVERSE CURRENT ,(mA)

= 25 C

1.0

= 100 C

0.1

1.0

= 25 C

0.01

PULSE WIDTH 300us

2% Duty Cycle

0.001

100

120

140

0.1

0.3

0.5

0.7

0.9

1.1

PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE (%)

INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE , VOLTS

FIG.5 - TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE

1000

CAPACITANCE , (pF)

100

= 25 C, f= 1MHz

0.1

100

REVERSE VOLTAGE , VOLTS

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