BTB/BTA06
离散双向可控硅（非隔离/隔离）
˚F IG 。门极触发电流的7 R ELA略去变化，
:
保持电流和闭锁电流VERS我们
结温度（典型值）。
IG T， IH ， IL [ T J ] / IG ， IH ， IL [T J = 25 ° C]
T
2.5
2.0
IG牛逼
˚F IG 。 -1 ：R的临界速度elative变化
8
主流VERS我们（的dV / dt ）C的增减E（典型
值）。 S nubberles s &逻辑电平类型
（ di / dt的） C [ （的dV / dt ） C] / S PEC后指定（ di / dt的）C
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
S W¯¯
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.1
1.5
1.0
0.5
T J （ ° C）
IH & IL
TW
B W / C宽
（的dV / dt ）C （V / μs）内
0.0
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
1.0
10.0
100.0
˚F IG 。 -2 ：R的临界速度elative变化
8
主流VERS的增减Ë我们（的dV / dt ）C （ typica升
值）。 S TANDARD类型
（ di / dt的） C [ （的dV / dt ） C] / S PEC后指定（ di / dt的）C
2.0
1.8
C
1.6
1.4
B
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.1
˚F IG 。 ：临界速度9 R elative变化
主流VERS的增减Ë我们结
温度。
（ di / dt的） C [ T J ] / （ di / dt的） C [ T J s PEC后指定]
6
5
4
3
2
（的dV / dt ）C （V / μs）内
1
10.0
100.0
T J （ ° C）
1.0
0
0
25
50
75
100
125
SIRECTIFIER [ SIRECTIFIER SEMICONDUCTORS ]
