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MBR2545CT 参数 Datasheet PDF下载

MBR2545CT图片预览
型号: MBR2545CT
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内容描述: 肖特基势垒二极管肖特基势垒二极管,高结温低漏电流肖特基势垒二极管高TJM低IRRM肖特基势垒二极管, TJ = -65 ° C〜 175 ° C, TJM = 175 ℃。 [肖特基势垒二极管Schottky Barrier Diodes,高结温低漏电流肖特基势垒二极管High Tjm Low IRRM Schottky Barrier Diodes,Tj = -65°C ~ 175°C, Tjm = 175°C。]
分类和应用: 二极管局域网
文件页数/大小: 2 页 / 106 K
品牌: SIRECTIFIER [ SIRECTIFIER SEMICONDUCTORS ]
 浏览型号MBR2545CT的Datasheet PDF文件第2页  
MBR2545CT通MBR2560CT
工作温度范围宽和高t
jm
肖特基势垒整流器器
A
C( TAB )
A
C
A
C
A
尺寸TO- 220AB
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
M
N
Q
R
英寸
分钟。
马克斯。
0.500 0.550
0.580 0.630
0.390 0.420
0.139 0.161
0.230 0.270
0.100 0.125
0.045 0.065
0.110 0.230
0.025 0.040
0.100
BSC
0.170 0.190
0.045 0.055
0.014 0.022
0.090 0.110
横行
分钟。
马克斯。
12.70 13.97
14.73 16.00
9.91 10.66
3.54
4.08
5.85
6.85
2.54
3.18
1.15
1.65
2.79
5.84
0.64
1.01
2.54
BSC
4.32
4.82
1.14
1.39
0.35
0.56
2.29
2.79
A =阳极,C =阴极, TAB =阴极
MBR2545CT
MBR2550CT
MBR2560CT
符号
I
(AV)
I
FSM
dv / dt的
V
RRM
V
45
50
60
V
RMS
V
31.5
35
42
V
DC
V
45
50
60
特征
最大正向平均整流电流
@T
C
=130
o
C
最大额定值
30
150
10000
I
F
=15A
I
F
=15A
I
F
=30A
I
F
=30A
@T
J
=25
o
C
@T
J
=125
o
C
@T
J
=25
o
C
@T
J
=125
o
C
@T
J
=25
o
C
@T
J
=125
o
C
0.65
0.75
-
-
1.0
50
1.5
450
-55到+150
-55到+175
单位
A
A
V /美
峰值正向浪涌电流8.3ms单半正弦波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
变化的电压率(额定V
R
)
最大正向电压
(每腿) (注1 )
V
F
V
I
R
R
OJC
C
J
T
J
T
英镑
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
典型热阻(注2 )
mA
o
C / W
pF
o
o
典型结电容每元(注3 )
工作温度范围
存储温度范围
C
C
注: 1。 300US脉冲宽度,占空比2 % 。
2.热阻结到管壳。
3.测得1.0MHz和应用反向电压4.0V DC 。
特点
*硅整流器的金属,多数载流子conducton
*保护环的瞬态保护
*低功耗,高效率
*高电流能力,低V
F
*高浪涌能力
*对于使用低电压,高频率逆变器,
whelling ,和极性保护应用
机械数据
*案例: TO- 220AB模压塑料
*极性:标明阀体上
*重量0.08盎司, 2.24克
*安装位置:任意