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MBR30200PT 参数 Datasheet PDF下载

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型号: MBR30200PT
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内容描述: 工作温度范围宽和高TJM肖特基势垒整流器 [Wide Temperature Range and High Tjm Schottky Barrier Rectifiers]
分类和应用:
文件页数/大小: 3 页 / 137 K
品牌: SIRECTIFIER [ SIRECTIFIER SEMICONDUCTORS ]
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MBR30100PT通MBR30200PT
工作温度范围宽和高t
jm
肖特基势垒整流器器
1000
100
T
J
=175
¢J
反向电流,I
R
(MA )
10
T
J
=150
¢J
T
J
=125
¢J
T
J
=100
¢J
T
J
=75
¢J
1
0.1
100
0.01
瞬时正向电流,I
F
(A)
T
J
=50
¢J
T
J
=25
¢J
0.001
T
J
=175
¢J
T
J
=125
¢J
T
J
=25
¢J
10
0.0001
0
20
40
60
80
100
反向电压, V
R
(V)
图2.典型值反向电流
与反向电压(每腿)
1000
1
结电容,C
T
(PF )
T
J
=25
¢J
0.1
0
0.5
1
1.5
2
2.5
100
0
20
40
60
80
100
正向电压降,V
FM
(V)
反向电压, V
R
(V)
图1.最大。正向电压降
特性( PerLeg )
图3.典型结电容比。
反向电压(每腿)
10
热阻抗Z
thJC
( C / W )
1
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.17
0.1
D = 0.08
P
DM
t1
t2
0.01
单脉冲
(热电阻)
注意事项:
1.Duty因子D = T1 / T2
2.Peak牛逼
j
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.001
0.0000
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
T1 ,矩形脉冲持续时间(秒)
图4.最大。热抗Z
thJC
特性( PerLeg )