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MBR740 参数 Datasheet PDF下载

MBR740图片预览
型号: MBR740
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内容描述: 肖特基势垒二极管肖特基势垒二极管,高结温低漏电流肖特基势垒二极管高TJM低IRRM肖特基势垒二极管, TJ = -65 ° C〜 + 175 ° C, TJM = + 175 ℃。 [肖特基势垒二极管Schottky Barrier Diodes,高结温低漏电流肖特基势垒二极管High Tjm Low IRRM Schottky Barrier Diodes,Tj = -65°C ~ +175°C, Tjm = +175°C。]
分类和应用: 二极管
文件页数/大小: 2 页 / 81 K
品牌: SIRECTIFIER [ SIRECTIFIER SEMICONDUCTORS ]
 浏览型号MBR740的Datasheet PDF文件第2页  
MBR730通MBR745
工作温度范围宽和高t
jm
肖特基势垒整流器器
尺寸TO- 220AC
A
C( TAB )
A
C
C
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
Q
英寸
分钟。
马克斯。
0.500 0.580
0.560 0.650
0.380 0.420
0.139 0.161
2.300 0.420
0.100 0.135
0.045 0.070
-
0.250
0.025 0.035
0.190 0.210
0.140 0.190
0.015 0.022
0.080 0.115
0.025 0.055
横行
分钟。
马克斯。
12.70 14.73
14.23 16.51
9.66 10.66
3.54
4.08
5.85
6.85
2.54
3.42
1.15
1.77
-
6.35
0.64
0.89
4.83
5.33
3.56
4.82
0.38
0.56
2.04
2.49
0.64
1.39
A =阳极,C =阴极, TAB =阴极
V
RRM
V
30
35
40
45
V
RMS
V
21
24.5
28
31.5
V
DC
V
30
35
40
45
MBR730
MBR735
MBR740
MBR745
符号
I
(AV)
I
FSM
dv / dt的
特征
最大正向平均整流电流
@T
C
=125
o
C
最大额定值
7.5
150
10000
I
F
=7.5A
I
F
=7.5A
I
F
=15A
I
F
=15A
@T
J
=25
o
C
@T
J
=125
o
C
@T
J
=25
o
C
@T
J
=125
o
C
@T
J
=25
o
C
@T
J
=125
o
C
-
0.57
0.84
0.72
0.1
15
3.5
400
-55到+150
-55到+175
单位
A
A
V /美
峰值正向浪涌电流8.3ms单半正弦波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
变化的电压率(额定V
R
)
最大正向
电压(注1 )
V
F
V
I
R
R
OJC
C
J
T
J
T
英镑
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
典型热阻(注2 )
典型结电容(注3 )
工作温度范围
存储温度范围
mA
o
C / W
pF
o
o
C
C
注: 1。 300US脉冲宽度,占空比2 % 。
2.热阻结到管壳。
3.测得1.0MHz和应用反向电压4.0V DC 。
特点
*硅整流器的金属,多数载流子conducton
*保护环的瞬态保护
*低功耗,高效率
*高电流能力,低V
F
*高浪涌能力
*对于使用低电压,高频率逆变器,
whelling ,和极性保护应用
机械数据
*案例: TO- 220AC模压塑料
*极性:标明阀体上
*重量0.08盎司, 2.24克
*安装位置:任意