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    MUR30100 参数 Datasheet PDF下载

    MUR30100图片预览
    型号： MUR30100
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 超快速恢复二极管 [Ultra Fast Recovery Diodes]
    分类和应用： 二极管超快速恢复二极管
    文件页数/大小： 3 页 / 126 K
    品牌： SIRECTIFIER [ SIRECTIFIER SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号MUR30100的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MUR30100的Datasheet PDF文件第3页  
    MUR3080 ， MUR30100
    超快速恢复二极管
    尺寸TO- 247AC
    A
    C（ TAB ）
    C
    A =阳极，C =阴极， TAB =阴极
    V
    RSM
    V
    800
    1000
    V
    RRM
    V
    800
    1000
    A
    C
    DIM 。
    A
    B
    C
    D
    E
    F
    G
    H
    J
    K
    L
    M
    N
    毫米
    分钟。马克斯。
    19.81 20.32
    20.80 21.46
    15.75 16.26
    3.55 3.65
    4.32
    5.4
    1.65
    -
    1.0
    10.8
    4.7
    0.4
    1.5
    5.49
    6.2
    2.13
    4.5
    1.4
    11.0
    5.3
    0.8
    2.49
    英寸
    分钟。
    马克斯。
    0.780
    0.819
    0.610
    0.140
    0.170
    0.212
    0.065
    -
    0.040
    0.426
    0.185
    0.016
    0.087
    0.800
    0.845
    0.640
    0.144
    0.216
    0.244
    0.084
    0.177
    0.055
    0.433
    0.209
    0.031
    0.102
    MUR3080
    MUR30100
    符号
    I
    疲劳风险管理
    I
    FAVM
    I
    FRM
    测试条件
    T
    VJ
    =T
    VJM
    T
    C
    =85
    o
    ℃;矩形的峰，d = 0.5
    t
    p
    <10us ;众议员。评级，脉冲宽度限制T
    VJM
    T
    VJ
    =45
    o
    C
    T = 10ms的（ 50赫兹） ，正弦
    T = 8.3ms的（ 60赫兹） ，正弦
    T = 10ms的（ 50赫兹） ，正弦
    T = 8.3ms的（ 60赫兹） ，正弦
    T = 10ms的（ 50赫兹） ，正弦
    T = 8.3ms的（ 60赫兹） ，正弦
    T = 10ms的（ 50赫兹） ，正弦
    T = 8.3ms的（ 60赫兹） ，正弦
    最大额定值
    70
    30
    375
    200
    210
    185
    195
    200
    180
    170
    160
    -40...+150
    150
    -40...+150
    单位
    A
    I
    FSM
    T
    VJ
    =150
    o
    C
    T
    VJ
    =45
    o
    C
    A
    It
    2
    T
    VJ
    =150 C
    o
    A
    2
    s
    T
    VJ
    T
    VJM
    T
    英镑
    P
    合计
    M
    d
    重量
    T
    C
    =25
    o
    C
    安装力矩
    o
    C
    138
    0.8...1.2
    6
    W
    Nm
    g

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