SBL845 参数 Datasheet PDF下载

型号：	SBL845
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内容描述：	肖特基势垒二极管肖特基势垒二极管，低压降肖特基势垒二极管低VF肖特基势垒二极管， TJ = -40 ° C〜 125°C ， TJM = 125°C 。 [肖特基势垒二极管Schottky Barrier Diodes，低压降肖特基势垒二极管Low VF Schottky Barrier Diodes，Tj = -40°C ~ 125°C, Tjm = 125°C。]
分类和应用：	二极管
文件页数/大小：	2 页 / 82 K
品牌：	SIRECTIFIER [ SIRECTIFIER SEMICONDUCTORS ]

SBL830通SBL845

低V

肖特基势垒整流器器

尺寸TO- 220AC

C（ TAB ）

DIM 。

A =阳极，C =阴极， TAB =阴极

RRM

RMS

24.5

31.5

SBL830

SBL835

SBL840

SBL845

英寸

分钟。

马克斯。

0.500 0.580

0.560 0.650

0.380 0.420

0.139 0.161

2.300 0.420

0.100 0.135

0.045 0.070

0.250

0.025 0.035

0.190 0.210

0.140 0.190

0.015 0.022

0.080 0.115

0.025 0.055

横行

分钟。

马克斯。

12.70 14.73

14.23 16.51

9.66 10.66

3.54

4.08

5.85

6.85

2.54

3.42

1.15

1.77

6.35

0.64

0.89

4.83

5.33

3.56

4.82

0.38

0.56

2.04

2.49

0.64

1.39

符号

（AV）

FSM

OJC

英镑

特征

最大正向平均整流电流

=95

最大额定值

200

0.55

=25

=100

0.5

450

3.0

-55到+125

-55到+150

单位

峰值正向浪涌电流8.3ms单半正弦波

叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）

最大正向电压在8.0A DC （注1 ）

反向电流最大DC

在额定阻断电压DC

典型结电容（注2 ）

典型热阻（注3 ）

工作温度范围

存储温度范围

C / W

注：1. 300US脉冲宽度， 2 ％的占空比。

2.测得1.0MHz和应用4.0V DC反向电压。

3.热阻结到外壳。

特点

*硅整流器的金属，多数载流子conducton

*保护环的瞬态保护

*低功耗，高效率

*高电流能力，低V

*高浪涌能力

*对于使用低电压，高频率逆变器，

whelling ，和极性保护应用

机械数据

*案例： TO- 220AC模压塑料

*极性：标明阀体上

*重量0.08盎司， 2.24克

*安装位置：任意

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