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    SG50N06D3S 参数 Datasheet PDF下载

    SG50N06D3S图片预览
    型号： SG50N06D3S
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 分立式IGBT [Discrete IGBTs]
    分类和应用： 双极性晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 156 K
    品牌： SIRECTIFIER [ SIRECTIFIER SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号SG50N06D3S的Datasheet PDF文件第2页  
    SG50N06D2S ， SG50N06D3S
    分立式IGBT
    尺寸SOT- 227 （ ISOTOP ）
    DIM 。
    A
    B
    C
    D
    E
    F
    G
    H
    J
    K
    L
    M
    N
    O
    P
    Q
    R
    S
    T
    U
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    31.50
    7.80
    4.09
    4.09
    4.09
    14.91
    30.12
    37.80
    11.68
    8.92
    0.76
    12.60
    25.15
    1.98
    4.95
    26.54
    3.94
    4.72
    24.59
    -0.05
    3.30
    0.780
    31.88
    8.20
    4.29
    4.29
    4.29
    15.11
    30.30
    38.20
    12.22
    9.60
    0.84
    12.85
    25.42
    2.13
    5.97
    26.90
    4.42
    4.85
    25.07
    0.1
    4.57
    0.830
    英寸
    分钟。
    马克斯。
    1.240
    0.307
    0.161
    0.161
    0.161
    0.587
    1.186
    1.489
    0.460
    0.351
    0.030
    0.496
    0.990
    0.078
    0.195
    1.045
    0.155
    0.186
    0.968
    -0.002
    0.130
    19.81
    1.255
    0.323
    0.169
    0.169
    0.169
    0.595
    1.193
    1.505
    0.481
    0.378
    0.033
    0.506
    1.001
    0.084
    0.235
    1.059
    0.174
    0.191
    0.987
    0.004
    0.180
    21.08
    SG50N06D2S
    SG50N06D3S
    V
    W
    符号
    测试条件
    最大额定值
    600
    600
    ±20
    ±30
    75
    50
    200
    I
    CM
    =100
    @
    0.8V
    CES
    250
    600
    60
    600
    150
    300
    -40…+150
    150
    -40…+150
    1.5/13
    1.5/13
    30
    单位
    V
    V
    A
    A
    W
    V
    A
    A
    W
    o
    C
    V
    CES
    T
    J
    =25
    o
    C
    150
    o
    C
    V
    CGR
    T
    J
    =25
    o
    C
    150
    o
    C;
    R
    GE
    =1M
    V
    GES
    连续
    V
    创业板
    短暂
    I
    C25
    T
    C
    =25
    o
    C
    I
    C90
    T
    C
    =90
    o
    C
    I
    CM
    T
    C
    =25
    o
    C;
    1毫秒
    SSOA
    V
    GE
    = 15V ;牛逼
    VJ
    =125
    o
    C;
    R
    G
    =10
    （ RBSOA ）
    钳位感性负载; L = 30uH
    P
    C
    T
    C
    =25
    o
    C
    V
    RRM
    I
    FAVM
    T
    C
    =70
    o
    C;
    矩形; D = 50％的
    I
    FRM
    t
    p
    为10ms ;脉冲宽度限制T
    J
    P
    D
    T
    C
    =25
    o
    C
    最大无铅焊接温度的
    从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
    T
    J
    T
    JM
    T
    英镑
    M
    d
    安装力矩
    终端连接扭矩（ M4 ）
    重量
    例
    二极管
    IGBT
    A
    纳米/ Ib.in 。
    g
    (T
    J
    =25
    o
    C,
    除非另有规定编）
    符号
    BV
    CES
    V
    GE （日）
    I
    CES
    I
    GES
    V
    CE （ SAT ）
    测试条件
    I
    C
    = 250uA ; V
    GE
    =0V
    I
    C
    = 250uA ; V
    CE
    =V
    GE
    V
    CE
    =0.8V
    CES
    ;
    V
    GE
    =0V;
    T
    J
    =25
    o
    C
    T
    J
    =125
    o
    C
    特征值
    分钟。
    典型值。
    马克斯。
    600
    2.5
    5.0
    200
    1
    ±100
    2.5
    单位
    V
    V
    uA
    mA
    nA
    V
    V
    CE
    =0V; V
    GE
    =±20V
    I
    C
    =I
    C90
    ; V
    GE
    =15V

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