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SG75S12S 参数 Datasheet PDF下载

SG75S12S图片预览
型号: SG75S12S
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内容描述: 分立式IGBT [Discrete IGBTs]
分类和应用: 双极性晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 1023 K
品牌: SIRECTIFIER [ SIRECTIFIER SEMICONDUCTORS ]
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SG75S12S
分立式IGBT
尺寸SOT- 227 ( ISOTOP )
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
Q
毫米
分钟。
马克斯。
31.50
7.80
4.09
4.09
4.09
14.91
30.12
37.80
11.68
8.92
0.76
12.60
25.15
1.98
4.95
26.54
3.94
4.72
24.59
-0.05
3.30
0.780
31.88
8.20
4.29
4.29
4.29
15.11
30.30
38.20
12.22
9.60
0.84
12.85
25.42
2.13
5.97
26.90
4.42
4.85
25.07
0.1
4.57
0.830
英寸
分钟。
马克斯。
1.240
0.307
0.161
0.161
0.161
0.587
1.186
1.489
0.460
0.351
0.030
0.496
0.990
0.078
0.195
1.045
0.155
0.186
0.968
-0.002
0.130
19.81
1.255
0.323
0.169
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
0.506
1.001
0.084
0.235
1.059
0.174
0.191
0.987
0.004
0.180
21.08
SG75S12S
I
C
A
75
V
CE
V
1200
R
S
T
U
V
W
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
DC集电极电流
峰值集电极电流
门极电压
总功耗
IGBT的开关SOA
符号
V
CES
I
C
I
CM
V
GES
P
合计
SwSOA
(T
vj
= 25 ℃,除非另有规定)
条件
V
GE
T
hs
= 70°C
脉冲:吨
p
为1ms ,T
hs
= 70°C
1200
75
150
单位
V
A
A
V
W
_
+20
T
hs
= 25 ℃,每开关
340
_
I
C
= 150A ,V
CEM
= 1200V, V
CC
< 1000V ,
_
V
GE
= + 15V ,T
vj
= 125°C
电压对辅助端子测量
V
CC
= 900V, V
CEM
= 1200V ,T
p
= 10µs,
_
V
GE
= + 15V ,T
vj
= 125°C
75
脉冲:吨
p
为1ms ,T
hs
= 70°C
150
A
A
IGBT短路SOA
直流正向电流
最大正向电流
SCSOA
I
F
I
FM
最大额定值(续)
参数
结温
储存温度
隔离电压
符号
T
vj
T
TSTG
/ T
COP
V
ISO
(T
vj
= 25 ℃,除非另有规定)
条件
-40 ~ 150
-40 ~ 125
1分钟, F = 50Hz的
2500
单位
°C
°C
V