SMOS44 / 48N50D2 ， SMOS44 / 48N50D3
功率MOSFET
(T
J
=25
o
C,
除非另有规定编）
符号
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
测试条件
V
GS
= 0V ;我
D
= 1毫安
V
DS
=V
GS
; I
D
= 8毫安
V
GS
=±20V
DC
; V
DS
=0
V
DS
=0.8V
DSS
; T
J
=25
o
C
V
GS
= 0V ;牛逼
J
=125
o
C
V
GS
= 10V ;我
D
=0.5I
D25
44N50
48N50
脉冲测试，T 300US ，占空比ð
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
500
2
4
±200
400
2
0.12
0.10
2%
(T
J
=25
o
C,
除非另有规定编）
符号
g
ts
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
R
thJC
R
thCK
超快速二极管
符号
I
R
测试条件
T
J
=25
o
C;
V
R
=V
RRM
V
R
=0.8V
RRM
T
J
=125
o
C;
V
R
=0.8V
RRM
V
F
t
rr
I
RM
R
thJC
R
thJK
0.05
I
F
= 7A ; V
GS
= 0V ;牛逼
J
=150
o
C
脉冲测试，T
300US ，占空比ð
2%; T
J
=25
o
C
35
19
I
I
= 1A ;的di / dt = - 200A / us的; V
R
= 30V ;牛逼
J
=25
o
C
I
F
= 60A ;的di / dt = - 480A / us的; V
R
= 350V ;牛逼
J
=100
o
C
测试条件
V
DS
= 10V ;我
D
=0.5I
D25
;脉冲测试
V
GS
=0V; V
DS
= 25V ; F = 1MHz的
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
22
42
8400
900
280
270
60
135
30
60
100
30
0.24
0.05
单位
S
pF
单位
V
V
nA
uA
mA
V
GS
=10V; V
DS
=0.5V
DSS “
; I
D
=0.5I
D25
nC
ns
ns
ns
ns
K / W
K / W
V
GS
=10V; V
DS
=0.5V
DSS
; I
D
=0.5I
D25
R
G
= 1 （外部）
(T
J
=25
o
C,
除非另有规定编）
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
200
100
14
1.5
1.8
50
21
0.7
uA
uA
mA
V
ns
A
K / W
K / W
单位
SIRECTIFIER [ SIRECTIFIER SEMICONDUCTORS ]
