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    SMOS44N50D2 参数 Datasheet PDF下载

    SMOS44N50D2图片预览
    型号： SMOS44N50D2
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 功率MOSFET [Power MOSFETs]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 2 页 / 183 K
    品牌： SIRECTIFIER [ SIRECTIFIER SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号SMOS44N50D2的Datasheet PDF文件第2页  
    SMOS44 / 48N50D2 ， SMOS44 / 48N50D3
    功率MOSFET
    尺寸SOT- 227 （ ISOTOP ）
    DIM 。
    A
    B
    C
    D
    E
    F
    G
    H
    J
    K
    L
    M
    N
    O
    P
    Q
    R
    S
    T
    U
    V
    W
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    31.50
    7.80
    4.09
    4.09
    4.09
    14.91
    30.12
    37.80
    11.68
    8.92
    0.76
    12.60
    25.15
    1.98
    4.95
    26.54
    3.94
    4.72
    24.59
    -0.05
    3.30
    0.780
    31.88
    8.20
    4.29
    4.29
    4.29
    15.11
    30.30
    38.20
    12.22
    9.60
    0.84
    12.85
    25.42
    2.13
    5.97
    26.90
    4.42
    4.85
    25.07
    0.1
    4.57
    0.830
    英寸
    分钟。
    马克斯。
    1.240
    0.307
    0.161
    0.161
    0.161
    0.587
    1.186
    1.489
    0.460
    0.351
    0.030
    0.496
    0.990
    0.078
    0.195
    1.045
    0.155
    0.186
    0.968
    -0.002
    0.130
    19.81
    1.255
    0.323
    0.169
    0.169
    0.169
    0.595
    1.193
    1.505
    0.481
    0.378
    0.033
    0.506
    1.001
    0.084
    0.235
    1.059
    0.174
    0.191
    0.987
    0.004
    0.180
    21.08
    符号
    V
    DSS
    V
    DGR
    V
    GS
    HiPerFET MOSFET
    测试条件
    T
    J
    =25
    o
    C
    150
    o
    C
    T
    J
    =25
    o
    C
    150
    o
    C;
    R
    GS
    =1M
    连续
    短暂
    T
    C
    =25
    o
    C
    T
    C
    =25
    o
    ℃;脉搏
    宽度有限的最大值。牛逼
    JM
    T
    C
    =25
    o
    C
    重复
    I
    S
    T
    J
    I
    DM
    ; -di / dt的
    100A / us的; V
    DD
    V
    DSS “
    150
    o
    C;
    R
    G
    =2
    44N50
    48N50
    44N50
    48N50
    最大额定值
    500
    500
    ±20
    ±30
    44
    48
    176
    192
    24
    30
    5
    520
    600
    60
    800
    180
    -40…+150
    150
    -40…+150
    单位
    V
    V
    A
    A
    A
    mJ
    V / ns的
    W
    V
    A
    A
    W
    o
    V
    GSM
    I
    D25
    I
    DM
    I
    AR
    E
    AR
    dv / dt的
    P
    D
    V
    RRM
    T
    C
    =25
    o
    C
    T
    C
    =70
    o
    C;
    矩形; D = 0.5
    t
    p
    <10us;
    脉冲宽度限制T
    J
    T
    C
    =25
    o
    C
    二极管
    I
    FAVM
    I
    FRM
    P
    D
    T
    J
    T
    JM
    T
    英镑
    C
    例
    V
    ISOL
    M
    d
    重量
    50/60赫兹， RMS
    I
    ISOL
    1毫安
    安装力矩
    T = 1分
    T = 1秒
    2500
    3000
    1.5/13
    1.5/13
    30
    V~
    纳米/ Ib.in 。
    g
    终端连接扭矩（ M4 ）

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