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SUR2X100-06 参数 Datasheet PDF下载

SUR2X100-06图片预览
型号: SUR2X100-06
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内容描述: 超快速恢复外延二极管 [Ultra Fast Recovery Epitaxial Diodes]
分类和应用: 二极管
文件页数/大小: 3 页 / 106 K
品牌: SIRECTIFIER [ SIRECTIFIER SEMICONDUCTORS ]
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SUR2x100-06
超快速恢复外延二极管
尺寸SOT- 227 ( ISOTOP )
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
Q
毫米
分钟。
马克斯。
31.50
7.80
4.09
4.09
4.09
14.91
30.12
37.80
11.68
8.92
0.76
12.60
25.15
1.98
4.95
26.54
3.94
4.72
24.59
-0.05
3.30
0.780
31.88
8.20
4.29
4.29
4.29
15.11
30.30
38.20
12.22
9.60
0.84
12.85
25.42
2.13
5.97
26.90
4.42
4.85
25.07
0.1
4.57
0.830
英寸
分钟。
马克斯。
1.240
0.307
0.161
0.161
0.161
0.587
1.186
1.489
0.460
0.351
0.030
0.496
0.990
0.078
0.195
1.045
0.155
0.186
0.968
-0.002
0.130
19.81
1.255
0.323
0.169
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
0.506
1.001
0.084
0.235
1.059
0.174
0.191
0.987
0.004
0.180
21.08
SUR2x100-06
V
RSM
V
600
V
RRM
V
600
R
S
T
U
V
W
符号
I
疲劳风险管理
I
FAVM
I
FRM
测试条件
T
VJ
=T
VJM
T
C
=70
o
℃;矩形的峰,d = 0.5
t
p
<10us ;众议员。评级,脉冲宽度限制T
VJM
T
VJ
=45
o
C
T = 10ms的( 50赫兹) ,正弦
T = 8.3ms的( 60赫兹) ,正弦
T = 10ms的( 50赫兹) ,正弦
T = 8.3ms的( 60赫兹) ,正弦
T = 10ms的( 50赫兹) ,正弦
T = 8.3ms的( 60赫兹) ,正弦
T = 10ms的( 50赫兹) ,正弦
T = 8.3ms的( 60赫兹) ,正弦
最大额定值
150
96
待定
1200
1300
1080
1170
7200
7100
5800
5700
-40...+150
150
-40...+150
单位
A
I
FSM
T
VJ
=150
o
C
T
VJ
=45
o
C
A
It
2
T
VJ
=150 C
o
A
2
s
T
VJ
T
VJM
T
英镑
P
合计
V
ISOL
M
d
重量
T
C
=25
o
C
50 / 60赫兹, RMS
_
I
ISOL
<1mA
安装力矩
终端连接力矩( M4)的
o
C
250
2500
1.5/13
1.5/13
30
W
V~
纳米/ lb.in 。
g