BTB/BTA08
离散双向可控硅（非隔离/隔离）
˚F IG 。 1 ：最大功率DIS s ipation VERS美国R MS
上的TA TE电流（全周期） 。
P（ W）的
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
˚F IG 。 2-1 ，R MS上-S大老电流VERS美国化学文摘ê
温度（全循环）。
IT （R MS ） （ A）
BTB
B TA
IT （R MS ） （ A）
T C （ ° C）
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
25
50
75
100
125
˚F IG 。 2-2 ，R MS上-S大老电流VERS我们的环境
温度（印刷电路板由于F R 4 ，铜
thicknes S：为35μm ） ，完整的周期。
IT （R MS ） （ A）
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
25
TAMB （ ° C）
DPA ķ
（S = 0.5C米
2
)
D
2
PA ķ
（S = 1C米
2
)
˚F IG 。 3 ，R ELA略去热阻抗的变化
弗斯我们PULS ê时间。
K = [第Z / R日]
1E +0
第Z （J -C ）
1E -1
第i （J -a）的
1E -2
50
75
100
125
1E -3
1E -3
TP （多个）
1E -2
1E -1
1E +0
1E +1
1E +2 5E +2
˚F IG 。 4 ：
值）。
IT M（ A）
100
Ø N-S大老
恰拉cteris抽动
（马ximum
˚F IG 。 5 ：•敦促峰上-S大老电流对
周期数。
IT S M （ A）
T J最大。
V到= 0.85 V
R D所= 50米
T J = T J最大
10
T J = 25°C
V T， M（ V）
1
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
t=20ms
一个周期
不重复
T J初始= 25°C
ř epetitive
T C = 100℃
周期数
1
10
100
1000
SIRECT [ Sirectifier Global Corp. ]
