欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

RTM2301 参数 Datasheet PDF下载

RTM2301图片预览
型号: RTM2301
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 20V P沟道增强型MOSFET [20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 183 K
品牌: SIRECT [ Sirectifier Global Corp. ]
 浏览型号RTM2301的Datasheet PDF文件第2页浏览型号RTM2301的Datasheet PDF文件第3页浏览型号RTM2301的Datasheet PDF文件第4页  
E
L
E
C
T
R
O
N
I
C
RTM2301
20V P沟道增强型MOSFET
引脚分配:
1.门
2.源
3.排水
V
DS
= - 20V
R
DS ( ON)
, V GS @ - 4.5V , IDS @ - 2.8A = 130mΩ
R
DS ( ON)
, V GS @ - 2.5V , IDS @ - 2.0A = 190mΩ
特点
先进的加工技术
对于超低导通电阻高密度电池设计
优异的热性能和电气性能
紧凑,薄型SOT- 23封装
框图
订购信息
产品型号
RTM2301CX
填料
磁带&卷轴
SOT-23
绝对最大额定值
( TA = 25
o
C
除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
最大功率耗散
TA = 25
o
C
o
TA = 75℃
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
极限
- 20V
±8
- 2.3
- 10
1.25
0.8
单位
V
V
A
A
W
工作结温
工作结存储温度范围
T
J
T
J
, T
英镑
+150
- 55 〜+ 150
o
o
C
C
热性能
参数
(从案例1/8“ )焊接温度
结到环境热阻(PCB安装)
注:表面安装在FR4电路板t< = 5秒。
符号
T
L
R
θJA
极限
5
100
单位
S
o
C / W
HTTP : // www.sirectsemi.com