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SG25S12T 参数 Datasheet PDF下载

SG25S12T图片预览
型号: SG25S12T
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 分立式IGBT [Discrete IGBTs]
分类和应用: 双极性晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 112 K
品牌: SIRECT [ Sirectifier Global Corp. ]
 浏览型号SG25S12T的Datasheet PDF文件第2页  
SG25S12T , SG25S12DT
分立式IGBT
尺寸TO- 247AD
DIM 。
A
B
毫米
分钟。马克斯。
19.81 20.32
20.80 21.46
15.75 16.26
3.55 3.65
4.32
5.4
1.65
-
1.0
10.8
4.7
0.4
1.5
5.49
6.2
2.13
4.5
1.4
11.0
5.3
0.8
2.49
英寸
分钟。
马克斯。
0.780
0.819
0.610
0.140
0.170
0.212
0.065
-
0.040
0.426
0.185
0.016
0.087
0.800
0.845
0.640
0.144
0.216
0.244
0.084
0.177
0.055
0.433
0.209
0.031
0.102
C( TAB )
E
C
G
G =门, C =收藏家,
E =发射器, TAB =收藏家
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
SG25S12T
SG25S12DT
符号
V
CES
V
CGR
V
GES
V
创业板
I
C25
I
C90
SSOA
测试条件
T
J
=25
o
C至150
o
C
T
J
=25
o
C至150
o
℃; ř
GE
=1 M ;
连续
短暂
T
C
=25
o
C
T
C
=90
o
C
最大额定值
1200
1200
±20
±30
46
25
I
CM
=48
@ 0.8 V
CES
313
-55...+150
150
-55...+150
单位
V
V
A
A
W
o
V
GE
= 15V ;牛逼
VJ
=125
o
℃; ř
G
=25
( RBSOA )
钳位感性负载, L = 100UH
P
C
T
C
=25
o
C
T
J
T
JM
T
英镑
最大无铅焊接温度的
从案例10秒1.6毫米( 0.062英寸)
M
d
重量
安装扭矩( M3 )
C
260
o
C
1.13/10
6
纳米/ Ib.in 。
g
符号
BV
CES
V
GE (日)
I
CES
I
GES
V
CE ( SAT )
测试条件
I
C
= 1500uA ; V
GE
=0V
I
C
= 1000uA ; V
CE
=V
GE
V
CE
=1200V;
V
GE
=0V;
T
J
=25
o
C
T
J
=150
o
C
(T
J
=25
o
C,
除非另有规定编)
特征值
单位
分钟。
1200
3.0
4.0
5.0
350
1.4
±100
2.35
典型值。
马克斯。
V
V
uA
mA
nA
V
V
CE
=0V; V
GE
=±20V
I
C
=I
C90
; V
GE
=15V