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STT60GK 参数 Datasheet PDF下载

STT60GK图片预览
型号: STT60GK
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内容描述: 可控硅晶闸管模块 [Thyristor-Thyristor Modules]
分类和应用: 可控硅
文件页数/大小: 4 页 / 829 K
品牌: SIRECT [ Sirectifier Global Corp. ]
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STT60GKxxB
可控硅晶闸管模块
TYPE
V
RSM
V
帝斯曼
V
900
1300
1500
1700
1900
V
RRM
V
DRM
V
800
1200
1400
1600
1800
公差: + 0.5毫米
-
尺寸mm (高度仅1mm = 0.0394" )
STT60GK08B
STT60GK12B
STT60GK14B
STT60GK16B
STT60GK18B
符号
I
真有效值
, I
疲劳风险管理
T =T
VJM
VJ
I
TAVM
, I
FAVM
T
C
=85
o
C; 180
o
正弦
I
TSM
, I
FSM
T =45
o
C
VJ
V
R
=0
T =T
VJM
VJ
V
R
=0
T =45
o
C
VJ
V
R
=0
T =T
VJM
VJ
V
R
=0
T =T
VJM
VJ
F = 50Hz的,T
p
=200us
V
D
=2/3V
DRM
I
G
=0.45A
di
G
/dt=0.45A/us
测试条件
最大额定值
94
60
单位
A
T = 10ms的( 50赫兹) ,正弦
T = 8.3ms的( 60赫兹) ,正弦
T = 10ms的( 50赫兹) ,正弦
T = 8.3ms的( 60赫兹) ,正弦
T = 10ms的( 50赫兹) ,正弦
T = 8.3ms的( 60赫兹) ,正弦
T = 10ms的( 50赫兹) ,正弦
T = 8.3ms的( 60赫兹) ,正弦
重复的,我
T
=150A
非重复性的,我
T
=I
TAVM
1500
1600
1350
1450
11200
10750
9100
8830
150
500
1000
10
5
0.5
10
-40...+125
125
-40...+125
A
i
2
dt
A
2
s
( di / dt的)
cr
A /美
( dv / dt的)
cr
P
GM
P
GAV
V
RGM
T
VJ
T
VJM
T
英镑
V
ISOL
M
d
T =T
VJM
;
VJ
V
DR
=2/3V
DRM
R = ;方法1 (线性电压升高)
GK
T =T
VJM
VJ
I
T
=I
TAVM
t
p
=30us
t
p
=300us
V /美
W
W
V
o
C
50 / 60赫兹, RMS
_
I
SOL
<1mA
I
t=1min
t=1s
3000
3600
2.5-4.0/22-35
2.5-4.0/22-35
110
V~
纳米/ lb.in 。
g
安装扭矩( M5 )
终端连接扭矩( M5 )
重量
典型值。