产品说明
该SBW - 5089 （ Z）是一个高性能的InGaP /砷化镓HBT MMIC
功放。达林顿电路与制作工艺的InGaP
技术提供宽带RF性能高达8 GHz和
出色的散热性能。异质结增加
击穿电压和最大程度地减少结之间的漏电流。
的发射极结的非线性导致高消
抑制互调产物。只有一个操作需要
单一正电源电压， 2隔直流电容，偏压电阻
和一个射频扼流圈。
在Sirenza的无铅“Z”包雾锡涂层的应用
使用后退火处理，以减轻锡须的形成和
符合RoHS每欧盟指令2002/95标准。封装主体是
与不含绿色塑封料生产
三氧化二锑或卤化阻燃剂。
获得&回波损耗与频率的关系
I
D
= 80 mA（典型值）调谐应用电路（图1 ）
25
20
收益
增益（dB ）
SBW-5089
SBW-5089Z
Pb
符合RoHS
＆放大器;
绿色
包
DC - 8 GHz的级联
的InGaP /砷化镓HBT MMIC放大器
产品特点
•
可以在无铅，符合RoHS
•
•
•
•
•
•
绿色包装（Z后缀）
50欧姆的级联增益模块
宽带平坦增益至3 GHz ： +/- 1.4分贝
的P1dB = 13.4 @ 6 GHz的
输入/输出电压驻波比< 2:3到8GHz
专利散热设计
单电压电源供电
0
-5
回波损耗（分贝）
15
ORL
-10
10
IRL
5
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
频率（GHz ）
-15
-20
-25
应用
•
宽带仪表
•
光纤驱动器
•
OC-48
•
基站
•
SAT COM
ü尼特
频率
850兆赫
3000兆赫
4200兆赫
6000兆赫
850兆赫
1950年兆赫
850兆赫
1950年兆赫
1950MHz
分钟。
19.3
17.0
14.5
18.4
32.0
典型值。
20.3
18.0
17.2
15.5
20.1
19.4
35.5
34.0
13.0
6000
D C -6000MHz
D C -6000MHz
1950年兆赫
4.5
72
7
8
10
10
3.9
4.9
80
70
4.4
5.3
88
马克斯。
21.3
19.0
16.5
符号
参数
小思gnal盖ñ
（印刷电路板和连接器损耗DE-包埋）
G
dB
P
1dB
OIP
3
噘
输出1分贝Ç ompressi电力
输出氏三阶截POI NT
输出功率@ -45dBc AC P IS- 95
9向前Ç hannels
分贝米
分贝米
分贝米
兆赫
dB
dB
dB
V
mA
° C / W
Bandwi嗞ð etermi通过回波损耗定义（ >10分贝）
IRL
ORL
NF
V
D
I
D
R
TH
J-升
最坏情况下的输入回波损耗
最坏的情况下输出回波损耗
降噪器连接gure
ð EVI CE操作，实际电压NG
ð EVI CE操作，实际纳克光凭目前ç
热RESI立场（ juncti的领导）
测试条件：
V
S
= 8 V I
D
= 80毫安典型。
偏置电阻= 39欧姆
OIP
3
音间距= 1兆赫
每个音噘嘴= 0 dBm的
T
L
= 25ºC
Z
S
= Z
L
= 50欧姆
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1
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