SDM - 09060 - B1F 925-960 MHz的65W功率放大器模块
引脚说明
针＃
1
2,4,7,9
3
5
6
8
10
轮缘
功能
V
GS1
地
RF输入
V
GS2
V
D2
RF输出
V
D1
地
模块顶边地上。
模块， RF输入。该引脚在内部连接到DC接地。不要直流电压，适用于RF引线。必须注意
采取防止视频瞬变可能损坏有源器件。
LDMOS FET Q2的栅极偏置。 V
gsth
3.0到5.0伏。见注释2 ， 3和4
LDMOS FET Q2漏极偏置。见注1 。
模块的RF输出。该引脚在内部连接到DC接地。不要直流电压，适用于RF引线。必须注意
采取防止视频瞬变可能损坏有源器件。
LDMOS FET Q1漏极偏置。见注1 。
底板提供电接地和用于所述装置的热传递路径。正确安装保证
最佳性能和最高的可靠性。见Sirenza的应用笔记AN- 054详细安装说明
电源模块。
描述
LDMOS FET Q1栅极偏置。 V
gsth
3.0到5.0伏。见注释2 ， 3和4
简化的设备示意图
1
2
3
4
5
案例法兰=接地
Q2
10
Q1
9
8
7
6
注1 ：
内部RF去耦包含在所有偏导。没有额外
tional旁路元素是必需的，但有些应用
系统蒸发散可能要求在V储能
D
导致
适应调制的信号。
注2 ：
栅极电压必须施加到V
GS
同时与领导
或应用漏极电压后，以防止潜在的
破坏性的振荡。偏置电压不应该被应用
到一个模块，除非它被适当地端接在输入和
输出。
注3 ：
所需的V
GS
对应于一个特定的I
DQ
会有所不同
模块到模块和V之间可能会有所不同
GS1
和V
GS2
on
由于正常的相同模块多达±0.10伏
芯片对芯片的阈值电压LDMOS晶体管的变化。
单位
V
DBM
注4 ：
阈值电压（V
gsth
）的LDMOS晶体管随
器件温度。外部温度补偿
是必需的。见Sirenza的应用笔记AN- 067 LDMOS
偏温度补偿。
注5 ：
这个模块被设计为具有它导致手
焊接到相邻的印刷电路板。最大钎焊烙铁头
温度不应超过700 ℃，钎焊烙铁
前端不应该在与导线直接接触为长于
10秒。请参考应用笔记AN054 （ www.sirenza.com ）的
进一步的安装说明。
绝对最大额定值
参数
漏极电压（V
DD
)
RF输入功率
负载阻抗连续运行无
损坏
控制（门）电压， VDD = 0 VDC
输出设备通道温度
工作温度范围
存储温度范围
价值
35
+37
5:1
15
+200
-20〜
+90
-40〜
+100
VSWR
V
ºC
ºC
ºC
此设备的运行超出这些限制的任何一个可能导致人员
永久性的损坏。为了保证可靠的连续运行看典型设置val-
1页表中指定的UE。
注意： ESD敏感
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
303 S.科技法庭
布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
2
http://www.sirenza.com
EDS - 104211版D
SIRENZA [ SIRENZA MICRODEVICES ]
