初步
SGA - 9089Z中功率SiGe半导体分立晶体管
绝对最大额定值
参数
设备的最大电流（I
CE
)
最大基极电流（I
B
)
最大器件电压（V
CE
)
最大集电极 - 基极电压（V
CB
)
最大发射极 - 基极电压（V
EB
)
马克斯。 RF输入功率* （见注）
马克斯。结温。 （T
J
)
工作温度RANGE （T
L
)
马克斯。储存温度。
*注意：
负载条件下，Z
L
= 50欧姆
绝对限制
235毫安
2.5毫安
4.5 V
12 V
4.5 V
+24 dBm的
+150°C
请参阅图表
+150°C
1.20
1.00
总消耗的功率（ W）
0.80
0.60
0.40
0.20
0.00
-40
-10
20
50
80
110
140
焊接温度（ C）
操作限制（ Tj<130C ）
最大推荐工作
耗散功率
此设备之外的这些限制中任一项的操作可能会引起
永久性损坏。为了保证可靠的连续运行，设备
电压和电流必须不超过最大工作值
1页表中指定。
偏置条件也应满足下面的表达式：
T
L
=T
领导
I
D
V
D
< （T
J
- T
L
) / R
TH
J-升
可靠性&资质信息
参数
ESD额定值 - 人体模型（ HBM ）
湿度敏感度等级
www.sirenza.com
等级
1C类
MSL 1
本产品合格报告可从以下网址下载
注意： ESD敏感
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
典型表现 - 工程应用电路
频率
（兆赫）
880
2440
测试条件：
V
CE
(V)
3
3
V
S
= 5V
I
CE
（MA ）
170
170
P
1dB
（ dBm的）
23.7
23.8
I
S
= 180毫安典型。
OIP
3
（ dBm的）
37.4
37.5
收益
（ dB）的
18.0
11.0
S11
（ dB）的
-18.6
-18.7
S22
（ dB）的
-18.7
-23.9
NF
（ dB）的
3.2
3.1
Z
SOPT
(Ω)
14.8 - j5.6
11.1 - j23.5
TL = 25°C
Z
LOPT
(Ω)
16.7 - j0.105
16.4 - j14.2
OIP
3
音频间隔= 1MHz时，每个音噘= 10 dBm的
上述数据是该应用电路的典型表现。请参考应用笔记额外的RF数据， PCB
布局和物料清单为每个应用电路。本应用笔记还包括偏置指示，并有其他的关键问题
考虑。有关最新的应用笔记，请访问我们的网站： www.sirenza.com或致电您当地的销售代表。
C
B
Z
LOPT
Z
SOPT
E
303 S.技术的Ct 。
布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
2
http://www.sirenza.com
EDS - 105051修订版B
SIRENZA [ SIRENZA MICRODEVICES ]
