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SGA-9189Z 参数 Datasheet PDF下载

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型号: SGA-9189Z
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内容描述: 中功率分立SiGe半导体晶体管 [Medium Power Discrete SiGe Transistor]
分类和应用: 晶体半导体晶体管射频微波
文件页数/大小: 4 页 / 99 K
品牌: SIRENZA [ SIRENZA MICRODEVICES ]
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产品说明
Sirenza的Microdevices的SGA - 9189是一款高性能的晶体管设计
操作到3GHz 。随着在2 GHz的最佳匹配, OIP3 = 39 dBm的和
的P1dB = 25.5 dBm的。这个RF装置是基于硅锗
异质结双极晶体管( HBT的SiGe )工艺。在SGA - 9189是
具有成本效益的用于要求高线性度,即使在​​温和的应用
偏置电平。它非常适合用于工作在5V和3V 。
在Sirenza的无铅封装的雾锡涂层采用了退火后
过程中,以减轻锡须的形成和每欧盟指令RoHS标准
2002/95 。这个包还生产绿色塑封料
含有三氧化锑无卤化也不阻燃剂。
SGA-9189
SGA-9189Z
Pb
符合RoHS
&放大器;
绿色
中功率分立SiGe半导体晶体管
产品特点
典型的Gmax的, OIP3 , P1dB为@ 5V , 180毫安
25
23
21
19
17
15
13
11
9
7
5
GMAX
OIP3 , P1dB为( DBM)
OIP3
P1dB
44
42
40
38
36
34
32
30
28
26
24
的Gmax ( dB)的
提供符合RoHS标准的绿色环保包装
50-3000 MHz工作
39 dBm的输出继电器IP3典型在1.96 GHz的
12.2分贝典型增益为1.96 GHz的
25.5 dBm的P1dB的典型在1.96 GHz的
2.1分贝NF典型的0.9 GHz的
高性价比
3-5 V操作
应用
无线基础设施驱动放大器
CATV放大器
无线数据, WLL放大器
AN- 021包含详细的应用电路
0.9 1.1 1.3 1.5 1.7 1.9 2.1 2.3 2.5
频率(GHz )
符号
ð evice极特,T = 25°C
V
CE
= 5V ,我
CQ
= 180毫安(除非otherw ISE说明)
马克西妈妈阿瓦伊拉布勒盖ñ
Z
S
=Z
S
*, Z
L
=Z
L
*
电源盖Ñ
Z
S
=Z
SOPT
, Z
L
=Z
LOPT
在POI NT输出1分贝Ç ompressi
Z
S
=Z
SOPT
, Z
L
=Z
LOPT
输出氏三阶截POI NT
Z
S
=Z
SOPT
, Z
L
=Z
LOPT
, P
OUT
= +10 dBm的每个音
降噪器连接gure
Z
S
=Z
SOPT
, Z
L
=Z
LOPT
Ç ollector - 惠tter击穿电压
D C电流改ñ
热RESI立场( juncti上对铅)
操作,实际纳克电压(集电极 - EMI tter )
操作,实际NG光凭目前ç
测试频率
[1] 100 %测试
[2 ]试样测试
F = 900兆赫
F = 1960 MHz的
F = 900MHz的[1]
F = 1960兆赫[2]
F = 900兆赫
F = 1960兆赫[2]
F = 900兆赫
F = 1960兆赫[2]
F = 900兆赫
F = 1960 MHz的
ü尼特
分钟。
典型值。
20.5
13.2
马克斯。
G
最大
G
P 1分贝
OIP
3
NF
B V
ç EO
h
FE
RTH
V
CE
I
dB
dB
分贝米
分贝米
dB
V
7.5
100
° C / W
V
mA
155
17.5
11.2
23.5
36.5
19.0
12.2
25.8
25.5
40.0
39.0
2.1
2.6
8.5
180
47
20.5
13.2
300
5.5
180
195
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303 S.技术的Ct 。
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电话: ( 800 ) SMI- MMIC
1
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