初步信息
产品说明
Sirenza的Microdevices的SGC - 6386Z是一款高性能的SiGe HBT MMIC
放大器采用达林顿配置与有源偏置网络。该
有源偏置网络提供稳定的电流随温度和工艺
Beta版的变化。直接设计在5V电源供电， SGC - 6386Z运行
不需要降电阻相比，典型的达林顿放大器。
在SGC - 6386Z产品是专为高线性5V增益模块
适用于要求小尺寸和最少的外部元件。这是
内部匹配到50欧姆。
在Sirenza的无铅“Z”包雾锡涂层使用的是应用
后退火处理，以减轻锡须的形成和符合RoHS
每个符合欧盟指令2002/95 。封装体制造
与不含三氧化锑或绿色塑封料
卤化阻燃剂。
获得&回波损耗与频率的关系
V
D
= 5V ，我
D
= 80毫安（典型值）。
收益
IRL
ORL
SGC-6386Z
Pb
符合RoHS
＆放大器;
绿色
包
50-4000兆赫硅锗
级联增益模块
20
0
10
-20
回波损耗（分贝）
15
-10
增益（dB ）
产品特点
•
固定单5V电源
•
供应降电阻不要求
•
专利的自偏置电路
•
的P1dB = 18.3 dBm的1950兆赫
•
IP3 = 34.3 dBm的1950兆赫
•
强大的1000V的ESD ， 1C类HBM
应用
•
PA驱动放大器
•
蜂窝，PCS ，GSM，UMTS
•
IF放大器
•
无线数据，卫星
5
*无需外部元件和宽带偏置T形
ZS = ZL = 50欧姆， Tlead = 25℃
-30
0
0
1
2
3
4
-40
频率（GHz ）
典型的表现与相应的应用电路
符号
G
P
1dB
OIP
3
IRL
ORL
NF
V
D
I
D
第r ，J -升
参数
小信号增益
在1dB压缩输出功率
输出三阶截点
输入回波损耗
输出回波损耗
噪声系数
器件工作电压
器件工作电流
热阻（结带领）
V
D
= 5.0V
I
D
= 80毫安典型。
Z
S
= Z
L
= 50欧姆
单位
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
V
mA
° C / W
频率
850兆赫
1950年兆赫
850兆赫
1950年兆赫
850兆赫
1950年兆赫
1950年兆赫
1950年兆赫
1930兆赫
分钟。
典型值。
16.3
11.9
19.3
18.3
35.6
34.3
18.0
17.0
4.2
5.0
80
106
马克斯。
测试条件：
OIP
3
音频间隔= 1MHz的
每个音噘嘴= 0 dBm的
T
L
= 25°C
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电话： （ 800 ） SMI- MMIC
1
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