产品说明
Sirenza的Microdevices的SHF - 0589是一款高性能的AlGaAs /
的GaAs异质结场效应晶体管（ HFET ）容纳在一个低成本的外加
面对贴装塑料封装。该HFET技术提高
击穿电压的同时最大限度地降低肖特基二极管的泄漏电流
从而获得更高的PAE和改进的线性度。
输出功率在1dB压缩为33.4 dBm的偏见时，
对于AB类工作在7V ， 345毫安在1.96 GHz的。在46.5
dBm的三阶截获使得它非常适合高动态范围，
高截点要求。它非常适合于在使用中
模拟和数字无线通信
基础设施和用户设备，包括3G ，手机，
的PCS ，固定无线，和寻呼机系统。
典型的增益性能（ 7V ， 345毫安）
SHF-0589
0
符号
1
ð evice极特
D
E
（除非otherw ISE说明）
试验C onditions ， 25C
V
DS
= 7V ，我
DQ
=345mA
D
频率（GHz ）
2
3
4
5
6
FO
40
35
30
25
20
15
10
5
0
增益Gmax的（ dB）的
GMAX
收益
应用
•
模拟和数字无线系统
•
3G ，蜂窝， PCS
•
固定无线，传呼系统
R
TEST
频率
0.90 GHz的
1.96 GHz的
2.14 GHz的
0.90 GHz的
1.96 GHz的
1.96 GHz的
1.96 GHz的
1.96 GHz的
1.96 GHz的
N
E
•
高漏极效率（在P1dB为>50 ％ ）
W
ü尼特
dB
dB
dB
dB
分贝米
分贝米
分贝米
分贝米
dB
mA
mS
V
V
V
o
33.4 dBm的P1dB为
46.5 dBm的OIP3
+26 dBm的IS- 95信道功率
11.5分贝增益
•
23.7 dBm的W- CDMA信道功率
D
E
民
-
-
-
14.1
10.3
44
31.9
-
-
816
576
-3.0
-
-
-
-
-
-
3.7
-17
-22
23
-
-
-
S
典型值
22.9
17.4
16.6
15.7
11.5
46.5
33.4
26.2
最大
-
-
-
17.3
12.7
-
-
-
-
1536
1008
-1.0
-15
-17
-
8.0
480
2.4
1176
792
-1.9
产品特点
•
1.96 GHz高线性度性能
GMAX
S
21
盖ñ
OIP3
P 1分贝
P
陈
NF
I
DSS
g
m
V
P
马克西妈妈阿瓦伊拉布勒盖ñ
Inserti上改ñ
电源盖Ñ
[1]
M
M
E
[2]
输出氏三阶截POI NT
在POI NT输出1分贝Ç ompressi
[2]
IS - 95°C hannel电（ -45dBc AC PR ）
饱和ð RAI N c个光凭目前
Tranconductance
C
O
降噪器连接gure
[2]
BV
GS
R
E
丕NCH断电压
[1]
[1]
栅源击穿电压
[1]
BV
GD
RTH
V
DS
I
DQ
门-D RAI ñ击穿电压
热RESI立场
[3]
[3]
[3]
N
Z
S
=Z
S
*, Z
L
=Z
L
*
Z
S
=Z
L
= 50欧姆
基于C APPLI CATI我rcui吨
基于C APPLI CATI我rcui吨
基于C APPLI CATI我rcui吨
基于C APPLI CATI我rcui吨
基于C APPLI CATI我rcui吨
V
DS
= V
DSP
, V
GS
= 0V
V
DS
= V
DSP
, V
GS
= -0.25V
V
DS
= 2.0V ，我
DS
= 2.4毫安
I
GS
= 4.8毫安，的DraI N打开
I
GD
= 4.8毫安，V
GS
= -5.0V
juncti上对铅
的DraⅠ正源
的DraⅠ正源，归仁escent
[2]
C / W
V
mA
C
N
O
T
操作，实际电压NG
操作，实际NG光凭目前ç
P
DISS
功率D我SSI帕蒂上
[1] 100 ％测试 - 最终生产测试过程中使用的是50欧姆接触板（无匹配电路），插入增益测试。
[ 2 ]测试样品 - 样品每片/包很多拉。样品测试规范的基础上，从样品测试测量的统计数据。测试固定装置是
工程应用电路板。应用电路被设计为线性，P1dB和电压驻波比的最佳组合。
[ 3 ]推荐的最大功耗指定保持牛逼
J
<140C在T
L
= 85℃。 V
DS
* I
DQ
< 2.4W推荐用于连续可靠的运行。
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522 Almanor大道，桑尼维尔，CA 94085
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
http://www.sirenza.com
EDS- 101242 F版
1
IG
N
0.05-3千兆赫， 2瓦
砷化镓HFET
SIRENZA [ SIRENZA MICRODEVICES ]
