产品说明
Sirenza的微器件“
SLD-1000
是一个强大的4瓦的高性能
LDMOS晶体管的芯片，设计用于运行在10至2700MHz 。它
对于需要高线性度和应用的最佳解决方案艾菲
效率。将SLD -1000通常被用作驱动或输出级
功率放大器，发射器或应用程序。这些强大的动力转录
电阻取值使用Sirenza的高性能XEMOS II捏造
TM
流程。
SLD-1000
4瓦离散LDMOS FET -Bare模具
功能示意图
ESD
保护
•
•
•
•
•
•
•
产品特点
4瓦的输出P
1dB
单极性工作
19分贝增益在900 MHz的
XeMOS II
TM
LDMOS
集成ESD保护， 1B类
铝合金顶边金属化
金牌背面金属化
门
歧管
漏
歧管
来源 - 背面接触
RF连接特定的阳离子
符号
频率
收益
效率
线性
R
TH
参数
操作的频率
3.5瓦CW ， 900兆赫
漏极效率为3.5瓦CW ， 900兆赫
•
•
•
•
•
应用
基站PA驱动器
中继器
军事通信
RFID
GSM ， CDMA，EDGE ， WDCDMA
单位
兆赫
dB
%
dBc的
瓦
摄氏度/ W
民
10
-
-
-
-
-
典型值
-
19
43
-30
4
11
最大
2700
-
-
-
-
-
3阶IMD在3.5瓦特PEP （双色） 900兆赫
1dB压缩（P
1dB
） 900兆赫
热阻（结到外壳，装在包中）
rd
测试条件：装在陶瓷封装和测试Sirenza的
T
评估板V
DS
= 28.0V ，我
DQ
= 30mA时吨
安装面
= 25ºC
DC特定网络阳离子
符号
g
m
V
GS
门槛
V
DS
击穿
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
R
DSON
参数
正向跨导@ 30毫安我
DS
I
DS
=3mA
1毫安我
DS
当前
输入电容（门源）V
GS
=0V, V
DS
=28V
反向电容（栅漏）V
GS
=0V, V
DS
=28V
输出电容（漏极至源极）V
GS
=0V, V
DS
=28V
漏极到源极电阻，V
GS
=10V V
DS
=250mV
单位
毫安/ V
伏
伏
pF
pF
pF
Ω
3.0
65
民
典型
150
4.2
70
5.2
0.2
3.2
3.0
3.5
5.0
最大
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303 S.科技法庭，
布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
1
http://www.sirenza.com
EDS - 104291 C版本
SIRENZA [ SIRENZA MICRODEVICES ]
