SLD-2083CZ
产品说明
Sirenza的微器件“
SLD-2083CZ
是一个强大的12瓦高perfor-
曼斯LDMOS晶体管设计，操作至2700MHz 。它是一个
对于需要高线性度和效率应用提供出色的解决方案
低成本。将SLD - 2083CZ通常用于驱动器的设计
级功率放大器，中继器，和RFID应用。电源
晶体管是用Sirenza的高性能XeMOS II捏造
TM
流程。
Pb
符合RoHS
＆放大器;
绿色
包
12瓦离散LDMOS FET的
陶瓷封装
功能示意图
产品特点
ESD
保护
•
•
•
•
•
•
12瓦输出P
1dB
单极性电源电压
高增益：18分贝915MHz的
高效率：在10W CW 47 ％
XeMOS II LDMOS
集成ESD保护， 1B类
应用
案例法兰=接地
RF连接特定的阳离子
符号
频率
收益
效率
IRL
参数
操作的频率
10瓦CW ， 902 - 928MHz的
漏极效率为10瓦CW ， 915MHz的
•
•
•
•
•
基站PA驱动器
中继器
RFID
军事通信
GSM / CDMA
单位
兆赫
dB
%
dB
dBc的
瓦
瓦
瓦
摄氏度/ W
民
10
17
40
-
-
典型值
-
18
47
-15
-28
12
1.6
3.6
4
最大
2700
-
-
-10
-26
-
-
-
输入回波损耗， 10瓦输出功率， 915MHz的
3阶IMD在10瓦PEP （双色） ， 915MHz的
1dB压缩（P
1dB
） ， 915MHz的
rd
线性
IS- 95 ，第9章FWD，偏移= 750kHz的， ACPR集成带宽，
ACPR=-55dB
IS- 95 ，第9章FWD，偏移= 750kHz的， ACPR集成带宽，
ACPR=-45dB
R
TH
热阻（结到外壳）
测试条件V
DS
= 28.0V ，我
DQ
= 125毫安，T
轮缘
= 25ºC
T
DC特定网络阳离子
符号
g
m
V
GS
门槛
V
DS
击穿
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
R
DSON
参数
正向跨导@ 125毫安我
DS
I
DS
=3mA
1毫安我
DS
当前
输入电容（门源）V
GS
=0V, V
DS
=28V
反向电容（栅漏）V
GS
=0V, V
DS
=28V
输出电容（漏极至源极）V
GS
=0V, V
DS
=28V
漏极到源极电阻，V
GS
=10V, V
DS
=250mV
单位
毫安/ V
伏特
伏特
pF
pF
pF
Ω
民
典型
590
3.8
65
27.5
0.81
14.65
0.6
最大
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1
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EDS - 103754冯é
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