SPA- 2318 1700-2200兆赫1瓦的功率放大器。
针＃
1
2
3
4
5, 6, 7, 8
功能
VC1
VBIAS
在RF
VPC2
描述
VC1是电源电压为所述第一级晶体管。该配置
应用原理图所示，需要获得最佳的RF性能。
VBIAS是偏置控制引脚的有源偏置网络。推荐
结构示于应用原理图。
射频输入引脚。该引脚需要使用外部隔直流电容器作为
在应用原理图如图所示。
Vpc2是偏置控制引脚为有源偏置网络为第二阶段。
推荐的配置被显示在应用原理图。
RF输出/ VC2 RF输出和偏置引脚。偏差应通过外部提供给该引脚
RF扼流圈。由于直流偏置存在于这个针，隔直电容
应该在大多数应用中使用（见应用原理图） 。供应
偏置网络的侧面应良好旁路。输出匹配网络是
必要的，以获得最佳的性能。
GND
需要在封装的底面露出区域被焊接到所述
电路板的接地层的热性能和射频性能。几个过孔应
设在EPAD在如图所示的推荐焊盘布局（第9页） 。
EPAD
简化的设备示意图
4
2
1
2
有源偏置
网
5-8
有源偏置
网
绝对最大额定值
3
参数（钽= 25℃ ）
马克斯。电源电流（I
C1
）在V
CC
典型值。
马克斯。电源电流（I
C2
）在V
CC
典型值。
马克斯。器件电压（V
CC
）在我
cc
典型值。
马克斯。 RF输入功率
马克斯。结温。 （T
J
)
绝对
极限
150毫安
750毫安
6.0 V
16 dBm的
+160 ºC
+150 ºC
注意： ESD敏感
在处理适当的预防措施，包装
荷兰国际集团和测试设备必须得到遵守。
对湿度敏感等级评价此设备是1级
（ MSL - 1）基于JEDEC的22 - A113标准分类。
期间无需特殊防潮包装/装卸
储存，装运或安装在设备上。
马克斯。储存温度。
此设备的运行超出这些限制的任何一个
可能会造成永久性的损害。对于连续可靠
操作中，设备的电压和电流不超过
在上表中规定的最大运行值
1页。
偏压条件下也应满足下
表达式：
I
CC
V
CC
（最大） < （T
J
- T
L
)/R
th
J-升
303 S.科技法庭，布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
8
http://www.sirenza.com
EDS - 101432冯ħ
SIRENZA [ SIRENZA MICRODEVICES ]
