产品说明
Sirenza的Microdevices的SPF - 2086TK是一款高性能
0.25微米的pHEMT砷化镓场效应管与肖特基势垒
城门。这300μm的器件非常偏置电压为3V ， 20mA小于最低
噪声性能和电池供电的要求。在
5V ， 40毫安该器件可提供32 dBm的出色的输出三阶互调失真。
它提供了理想的性能，在许多驱动器级
商业，工业和军事应用的低噪声放大器。
SPF-2086TK
低噪声pHEMT制的GaAs FET
0.1 - 6 GHz的操作
35
30
增益Gmax的（ dB）的
典型的增益性能
3V ， 20毫安
5V ， 40毫安
25
20
15
10
5
0
0
2
4
6
8
10
12
GMAX
收益
产品特点
•
22分贝Gmax的1.9 GHz的
•
0.4分贝˚F
民
在1.9 GHz的
•
+32 dBm的输出IP3
•
在1dB压缩+20 dBm的输出功率
应用
•
LNA用于模拟和数字无线系统
•
3G ，蜂窝， PCS
•
固定无线，传呼系统
•
针对低功耗应用驱动阶段
试验C ondition
[1] = 100 ％测试
ü尼特
分钟。
典型值。
马克斯。
频率（GHz ）
符号
ð evice极特，T = 25°C
V
DS
= 3V ，我
DQ
= 20mA下（除非otherw ISE说明）
GMAX
马克西妈妈阿瓦伊拉布勒盖ñ
Z
S
=Z
S
*, Z
L
=Z
L
*
Inserti上改ñ
Z
S
=Z
L
= 50欧姆
咪妮妈妈河内本身连接gure
Z
S
=Γ
选择
, Z
L
=Z
LOPT
输出氏三阶截POI NT
Z
S
=Z
SOPT
, Z
L
=Z
LOPT
在POI NT输出1分贝Ç ompressi
Z
S
=Z
SOPT
, Z
L
=Z
LOPT
饱和ð RAI N c个光凭目前
V
DS
= V
DSP
, V
GS
= 0V
Tranconductance ：
V
DS
= V
DSP
, V
GS
= -0.25V
丕NCH断电压：
V
DS
= 2.0V ，我
DS
= 150
µA
栅极 - 源极击穿电压
I
GS
= 0.3毫安，的DraI N打开
栅-D RAI ñ击穿电压
I
GD
= 0.3毫安，V
GS
= -3.0V
热RESI立场， juncti上对铅
f
f
f
f
=
=
=
=
0.9
1.9
4.0
6.0
GHz的
GHz的
GHz的
GHz的
[1]
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
分贝米
分贝米
分贝米
分贝米
mA
mS
[1]
[1]
[1]
o
-
-
-
-
16.0
-
-
-
-
-
-
-
-
30
-
-1.5
-
-
-
25.2
21.8
18.7
13.5
17.7
0.3
0.4
0.5
0.7
32
28
20
15
85
112
-1.0
-17
-17
110
-
-
-
-
19.4
-
-
-
-
-
-
-
-
140
-
-0.5
-8
-8
-
S
21
F = 1.9 GHz的
f
f
f
f
=
=
=
=
1
2
4
6
GHz的
GHz的
GHz的
GHz的
F
民
OIP3
P 1分贝
I
DSS
g
m
V
P
BV
GS
BV
GD
RTH
V
DS
= 5.0V ，我
DQ
=40mA
V
DS
= 3.0V ，我
DQ
=20mA
V
DS
= 5.0V ，我
DQ
=40mA
V
DS
= 3.0V ，我
DQ
=20mA
V
V
V
C / W
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1
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EDS - 101225 Rev. D的
SIRENZA [ SIRENZA MICRODEVICES ]
