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型号: SPF-3143Z
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内容描述: 低噪声pHEMT制的GaAs FET [Low Noise pHEMT GaAs FET]
分类和应用:
文件页数/大小: 3 页 / 116 K
品牌: SIRENZA [ SIRENZA MICRODEVICES ]
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SPF-3143Z
产品说明
Sirenza的Microdevices的SPF - 3143Z是一款高性能0.5微米pHEMT制
砷化镓场效应管。这600μm的器件非常偏置电压为3V , 20毫安
对于最低噪声性能和电池供电的要求。在
5V , 40毫安器件可提供32.5 dBm的OIP3 。它提供了理想的
性能在许多商业和工业的LNA一个驱动级
应用程序。
在Sirenza的无铅封装的雾锡涂层采用了退火后
过程中,以减轻锡须的形成和每欧盟RoHS标准
指令2002/95 。这个包还生产绿色成型
含有三氧化锑无卤化,也没有阻燃剂的化合物。
典型的增益性能
Pb
符合RoHS
&放大器;
绿色
低噪声pHEMT制的GaAs FET
产品特点
•提供无铅,符合RoHS标准,绿色&
包装
• DC - 3.5 GHz的操作
• 0.58分贝NF
@ 2 GHz的
• 21分贝摹
最大
@ 2 GHz的
• +31 dBm的OIP3 ( 5V , 40毫安)
• 17.7 dBm的P1dB为( 5V , 40毫安)
•低电流,低成本
•适用于关键应用频段电路
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
5V 40毫安
增益Gmax的( dB)的
3V 20毫安
GMAX
收益
应用
模拟和数字无线系统
3G ,蜂窝, PCS
固定无线,传呼系统
针对低功耗应用驱动阶段
2
4
频率(GHz )
6
8
10
测试条件
符号
参数
V
DS
= 5V ,我
DQ
= 40毫安, 25C
(除非另有说明)
单位
测试频率
(千兆赫)
分钟。
典型值。
马克斯。
G
最大
NF
S
21
NF
收益
OIP
3
P
1dB
V
P
I
DSS
g
m
BVgso
BVGDO
V
DS
I
DS
R
TH
J-升
最大可用增益
最小噪声科幻gure
插入增益
噪声系数
收益
输出三阶截点
在1dB压缩输出功率
夹断电压
饱和漏极电流
栅源击穿电压
栅极 - 漏极击穿电压
器件工作电压
器件工作电流
热阻(结 - 铅)
Z
S
=Z
S
*, Z
L
=Z
L
*
Z
S
选择
, Z
L
=Z
L
*
Z
S
=Z
L
=50Ω
应用电路
应用电路
应用电路,
音频间隔= 1MHz时,
每个音噘嘴= 0 dBm的
应用电路
V
DS
= 2V ,我
DS
- 0.6毫安
V
DS
= 2V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 2V, V
GS
= 0 V
I
GS
= 300
μA,
开漏
I
GD
= 300
μA,
源代码开放
漏源
漏源
交界处领导
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
0.9
1.9
0.9
1.9
0.9
1.9
1.9
1.9
1.9
18.2
14.1
30.5
19.0
-1.4
23.3
19.9
0.36
0.58
19.7
0.8
15.6
32.5
20.5
-1.0
180
210
-10
-12
21.2
1.0
17.1
V
mA
mS
V
V
V
mA
° C / W
-0.6
-7
-7
5.5
38
40
200
42
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EDS - 103162 C版本
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