初步
SZP - 2026Z 2.2-2.7GHz 2W功率放大器
典型性能2.4-2.5GHz应用电路（VCC = 5V ，ICQ = 445毫安， * 802.11克54MB / s的64QAM ）
参数
收益
P1dB
噘嘴@ 2.5 ％ EVM *
目前@噘2.5 ％ EVM *
输入回波损耗
输出回波损耗
单位
dB
DBM
DBM
mA
dB
dB
2.4GHz
13.3
33.5
26
550
16
16
2.5GHz
13.0
33.3
26
545
12
16
典型性能2.5-2.7GHz - 请参阅第1页的表
引脚输出说明
针＃
1
2
3
4
5
6
GND
功能
VBIAS
RFIN
VPC
VDET
RFOUT / VCC
NC
GND
描述
这是在电源电压的有源偏置电路。
这是RF输入端子，并具有一个直流电压存在。外接DC模块是必需的。
电源开启/关闭控制引脚。该引脚上的电压不能超过引脚3的电压
超过0.5V ，除非从销3的供电电流被限制< 10毫安。
这是用于将功率检测器的输出端口。它的样品在放大器的输入端的功率。
这是RF输出引脚和DC连接到收集器。
该引脚没有连接内部的包。巴斯到如图所示的应用电路上的脚5
达到规定的性能。
这些引脚的直流连接到背面桨。它们提供了良好的热连接
背面桨手工焊接和返修。众多的散热和电气接地过孔recom-
修补所示的着陆图案。
绝对最大额定值
参数
VC1集电极偏置电流（I
VC1
)
**器件电压（V
cc
)
功耗
操作焊接温度（T
L
)
*最大射频输出功率为50欧姆contin-
uous长期运行
最大RF输入功率为50欧姆输出
负载
最大射频输入功率为10 ： 1 VSWR输出
把负载
存储温度范围
工作结温（T
J
)
ESD人体模型
价值
1500
7.0
6
-40至+85
30
28
23
-40到+150
+150
1000
单位
mA
V
W
ºC
DBM
DBM
RFIN
2
VBIAS
1
BIAS
简化的设备示意图
GND
6
5
NC
RFOUT / VCC
DBM
ºC
ºC
V
GND
VPC
3
4
VDET
此设备的运行超出了这些限制任何人不得
会造成永久性的损害。对于连续可靠运行
器件电压和电流必须不超过最大
第一页上表中规定的工作值。
偏置条件也应满足下面的表达式：
I
D
V
D
< （T
J
- T
L
) / R
该
J-升
注意： ESD敏感
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
*使用指定的应用电路。
**无RF驱动器
303南方科技法庭布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
2
http://www.sirenza.com
EDS - 104611 C版本
SIRENZA [ SIRENZA MICRODEVICES ]
