数据表
AF002C1-39 ， AF002C1-39LF ， AF002C4-39 ， AF002C4-39LF ：
砷化镓IC控制用FET系列300 kHz至2.5 GHz的
特点
低成本的SOT- 23封装
●
串联或并联配置
●
低直流漏电流
●
理想的开关积木
●
PIN二极管替换
●
高功率天线开关
●
可用铅（ Pb），且符合RoHS标准的MSL - 1 @ 250℃
根据JEDEC J- STD- 020
●
引脚输出
漏极（四）
2
源极（S ）
1
3
栅极（G ）
描述
本组的GaAs FET的控制既可以串联使用而
分流器配置。它们采用片上电路，
省去了额外的偏置元件和最小化
功耗通常为25 μW 。这些特点使设备
理想的替代PIN二极管，在低直流漏是至关重要的。
绝缘性能下降，在较高的频率下，由于
封装寄生效应。它们可以被调谐在窄带应用程序
如在下面几页的电路示例阳离子。
新
Skyworks公司提供铅（Pb ） - 免费，符合RoHS （限制的
有害物质）标准包装。
在25 ° C电气规格（ 0 ， -5 V ）
产品型号
(1)
AF002C1-39
频率
（千兆赫）
300 kHz至0.5 GHz的
300 kHz至1.0 GHz的
300 kHz至2.5 GHz的
AF002C4-39
300 kHz至0.5 GHz的
300 kHz至1.0 GHz的
300 kHz至2.5 GHz的
6.4
6.4
6.4
0.8
0.8
0.8
Ω
R
ON
(Ω)
(2)
典型值。
马克斯。
9
9
9
1.1
1.1
1.1
插入损耗（dB ）
(3, 4)
系列
0.5
0.6
0.7
0.2
0.25
0.3
分流
0.1
0.15
0.2
0.15
0.25
2
C
关闭
（PF ）
(5)
典型值。
0.13
0.13
0.13
1.1
1.1
1.1
马克斯。
0.25
0.25
0.25
1.5
1.5
1.5
隔离度（dB ）
(4)
系列
25
17
13
11
6
3
分流
12
8
3
15
9
4
P
1分贝
(W)
典型值。
0.5
1
1
6
7
7
1，一种在50进行的所有测量
Ω
制，除非另有说明。
2. R
ON
- 电阻
Ω
在低阻抗状态时为“0” V施加到栅极（G）。
0.003分贝/ ℃， 3插入损耗变化。
4.插入损耗和隔离的典型值。
5. C
关闭
- 电容（ pF）的高阻抗状态时-5 V施加到栅极（G） 。
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