AFM06P2-212 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AFM06P2-212
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内容描述：	Ka波段功率GaAs MESFET [Ka Band Power GaAs MESFET]
分类和应用：	晶体射频场效应晶体管放大器
文件页数/大小：	2 页 / 26 K
品牌：	SKYWORKS [ SKYWORKS SOLUTIONS INC. ]

Ka波段功率GaAs MESFET

AFM06P2-212 ， 213

特点

在18 GHz的22 dBm的输出功率

关联度高增益， 9分贝在18 GHz的

高功率附加效率， 23 ％

宽带运营， DC- 18 GHz的

0.25

µm

钛/钯/金

表面钝化

来源

212

漏

来源

门

来源

213

来源

门

描述

该AFM06P2-212 ， 213是一款高性能电源

在一个行业标准的陶瓷的GaAs MESFET芯片

微-X封装，具有0.25的栅极长度

µm

AND A

600总闸周边

µm.

该装置具有优异的

到26千兆赫使其增益和功率性能

适合于广泛的商业和军事

应用在振荡器和放大器电路。该装置

采用的Ti / Pd / Au的门和金属表面

钝化，保证坚固可靠的组成部分。

绝对最大额定值

参数

漏源极电压（V

)

门源电压（V

)

漏电流（I

)

栅极电流（I

)

总功率耗散（ P

)

通道温度（T

)

存储温度（T

)

价值

–4 V

DSS

1毫安

1.1 W

175°C

-65到+ 150°C

电气规格在25℃

参数

饱和漏极电流

跨

夹断电压

栅漏击穿电压

在1dB压缩输出功率

增益1dB压缩

功率附加效率

符号

DSS

BGD

1分贝

测试条件

= 2 V, V

= 0 V

= 5 V，I

= 1.5毫安

= 600

µA

= 5 V，I

= 70 mA时， F = 18 GHz的

分钟。

130

–

典型值。

200

120

马克斯。

270

–

单位

DBM

ηadd

阿尔法工业公司

[781] 935-5150

•

传真

[617] 824-4579

•

电子邮件

sales@alphaind.com

•

www.alphaind.com

规格如有变更，恕不另行通知。 2 / 99A

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