数据表
AS165-59 ， AS165-59LF ：砷化镓集成电路高隔离
SPST开关阳性对照0.7〜 GHz的
特点
单正控制电压（0， 5伏）
●
基站合成器开关
●
高隔离度（45 dB的0.9 ， 1.9千兆赫）
●
Ĵ口无反射
1
●
微型低成本MSOP- 8塑料封装
●
可用铅（ Pb），且符合RoHS标准的MSL - 1 @ 260℃
根据JEDEC J- STD- 020
●
引脚输出
GND
V
S
J
1
C
BL
GND
4
C
BL
2
3
50
7
GND
V
1
GND
J
2
1
8
6
5
隔直流电容器必须由外部提供。
C
BL
= 47 pF的操作>500兆赫。
描述
该AS165-59 SPST集成电路FET开关是吸收在输入。该
开关具有高隔离，低插入损耗。理想
积木式基站应用合成
隔离是重要的。使用在结合AS164-80 SPDT
切换到满足GSM合成器开关隔离要求。
新
Skyworks公司提供铅（Pb ） - 免费，符合RoHS （限制的
有害物质）标准包装。
电气特性，在25℃ （0°， 5 V）的
参数
(1)
插入损耗
(2)
频率
0.7-1.0 GHz的
1.0-2.0 GHz的
2.0-2.5 GHz的
0.7-2.0 GHz的
2.0-2.5 GHz的
0.7-1.8 GHz的
1.8-2.5 GHz的
39
30
分钟。
典型值。
0.7
0.8
1.2
45
38
1.7:1
1.5:1
1.9:1
1.8:1
马克斯。
0.9
1.1
1.4
单位
dB
dB
dB
dB
dB
隔离
VSWR
(3)
1，一种在50进行的所有测量
Ω
制，除非另有说明。
0.003分贝/ ℃， 2插入损耗变化。
3.插入损耗状态和J
1
端口。
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1
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