砷化镓集成电路高隔离度单刀单掷开关
积极控制0.7〜 GHz的
AS165-59
特点
■
单正控制电压（ 0 ，+ 5 V）
■
基站合成器开关
■
高隔离度（45 dB的0.9 ， 1.9千兆赫）
■
J
1
口无反光
■
微型低成本MSOP- 8
塑料包装
销1
MSOP-8
0.0256 （0.65 MM） TYP 。
销1
指标
0.118 (3.00 mm)
± 0.004 (0.1 mm)
平方米。
0.193 (4.90 mm)
REF 。
0.012 (0.30 mm)
+ 0.006 (0.15 mm)
- 0.002 (0.05 mm)
描述
该AS165-59 SPST IC FET开关是吸收的
输入。该交换机具有高隔离，低插入
损失。理想的基石基站应用
其中，合成器隔离是重要的。用结合
与AS164-80 SPDT开关，以满足GSM合成
开关隔离要求。
7.0˚
0.038 （0.95 MM） TYP 。
0.030 (0.75 mm)
0.017
(0.43 mm)
0.007 (0.18 mm)
± 0.005 (0.12 mm)
8.0˚
马克斯。
0.006 (0.15 mm)
0.002 (0.05 mm)
0.028 (0.70 mm)
0.016 (0.40 mm)
电气规格在25 ° C（ 0 ，+ 5 V）
参数
1
插入损耗
2
频率
0.7-1.0 GHz的
1.0-2.0 GHz的
2.0-2.5 GHz的
0.7-2.0 GHz的
2.0-2.5 GHz的
0.7-1.8 GHz的
1.8-2.5 GHz的
39
30
分钟。
典型值。
0.7
0.8
1.2
45
38
1.7:1
1.5:1
1.9:1
1.8:1
马克斯。
0.9
1.1
1.4
单位
dB
dB
dB
dB
dB
隔离
VSWR
3
工作特性，在25 ° C（ 0 ，+ 5 V）
参数
开关特性
4
条件
上升，下降（10 /90％或90 /10％ RF）
开，关（ 50 ％ CTL 〜90 /10％ RF）
视频馈通
0.7〜 GHz的
对于双音输入功率+5 dBm的
0.7〜 GHz的
V
低
= 0〜 0.2 V @ 20 μA（最大值） 。
V
高
= + 5V @ 50 μA（最大值） 。到+7 V @ 200 μA（最大值） 。
V
S
= V
高
± 0.2 V
频率
分钟。
典型值。
25
150
50
+28
+45
马克斯。
单位
ns
ns
mV
DBM
DBM
输入功率为1 dB压缩
交调截取点（ IP3 ）
控制电压
1，一种在50进行的所有测量
Ω
制，除非另有说明。
0.003分贝/ ℃， 2插入损耗变化。
3.插入损耗状态和J
1
端口。
与1 ns的测量4.视频馈通脉冲的上升时间和500 MHz的带宽。
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1
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