数据表
AS191-73 ， AS191-73LF ： PHEMT的砷化镓集成电路高线性度3 V
控制SPDT开关0.1-4 GHz的
特点
2.5至5伏线性操作
●
谐波H，H > 65 dBc的@ P
2 3
IN
= 34.5 dBm的
●
低插入损耗（0.5 dB的0.9千兆赫）
●
高隔离度（27 dB的0.9千兆赫）
●
超小型SOT -6封装
●
pHEMT工艺
●
可用铅（ Pb），且符合RoHS标准的MSL - 1 @ 260℃
根据JEDEC J- STD- 020
●
引脚输出
J
2
C
BL
V
1
J
1
1
2
GND
6
5
C
BL
J
3
3
C
BL
V
2
4
隔直流电容器（C
BL
）必须从外部提供。
C
BL
= 47 pF适用于工作频率为>500兆赫。
描述
该AS191-73是砷化镓PHEMT场效应管IC高线性度SPDT开关
采用SOT- 6塑料封装。这个开关被设计成用于
其中，极高的线性度，低控制电压，高隔离度，
低插入损耗和超小型封装尺寸是必需的。它
可以为正，负或两者的组合来控制
电压。一些标准的实现包括天线
切换时， T / R和多样性切换3 W的AS191-73
交换机可以在很多模拟和数字无线通信中使用
阳离子系统包括蜂窝， GSM和DECT应用程序。
新
Skyworks公司提供铅（Pb ） - 免费，符合RoHS （限制的
有害物质）标准包装。
电气特性，在25℃ （0， 3 V）的
参数
(1)
插入损耗
(2)
频率
0.1-1 GHz的
1.0-2 GHz的
2.0-4 GHz的
0.1-1 GHz的
1.0-2 GHz的
2.0-4 GHz的
0.1-4 GHz的
25
19
14
分钟。
典型值。
0.50
0.55
0.70
27
21
18
1.3:1
马克斯。
0.6
0.7
1.0
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
隔离
VSWR
(3)
1，一种在50进行的所有测量
Ω
制，除非另有说明。
0.003分贝/ ℃， 2插入损耗变化。
3.插入损耗状态。
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