数据表
AS196-307 ， AS196-307LF ：砷化镓集成电路高隔离SPDT
非反射开关与驱动器LF- 6 GHz的
特点
正电压控制（ 0/3至0/5 V ）
●
高隔离度（55 dB的0.9 GHz和1.9 GHz的）
●
LPCC 4 ×4毫米包装
●
集成硅CMOS驱动器
●
非反射
●
可用铅（ Pb），且符合RoHS标准的MSL - 1 @ 260℃
根据JEDEC J- STD- 020
●
功能框图
J
2
C
BL
50
C
BL
50
J
1
描述
该AS196-307是GaAs FET的集成电路单刀双掷开关的非反射
封装采用16引脚裸露焊盘塑料包装成本低，
高隔离度的商业应用。理想的基石
基站应用中合成的隔离是至关重要的。
典型的应用包括GSM， PCS ，WCDMA， 2.4和
5.8 GHz的ISM和无线本地环路。
J
3
C
BL
解码器
V
DD
C
BL
= 47 pF的操作> 500兆赫。
V
CTL
新
Skyworks公司提供铅（Pb ） - 免费，符合RoHS （限制的
有害物质）标准包装。
电气规格（ 0 ， 5 V） -40 ° C至+85°C
参数
(1)
插入损耗
频率
LF- 2吉赫
LF- 3 GHz的
LF- 4 GHz的
LF- 6 GHz的
LF- 2吉赫
LF- 3 GHz的
LF- 4 GHz的
LF- 6 GHz的
LF- 2吉赫
LF- 6 GHz的
0.5-6 GHz的
50
43
35
25
分钟。
典型值。
0.9
1.0
1.2
1.6
55
50
40
30
1.3:1
1.3:1
1.35:1
1.5:1
1.6:1
1.7:1
马克斯。
1.15
1.25
1.40
2.00
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
隔离
(2)
VSWR （ON状态）
VSWR （ OFF状态）
1，一种在50进行的所有测量
Ω
制，除非另有说明。
2.背面露出焊盘必须被连接到RF接地，以获得指定的隔离。
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