AS227-321 参数 Datasheet PDF下载

数据表

AS227-321 ： PHEMT的砷化镓集成电路高功率

SP3T开关的DC- 2GHz的

特点

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QFN-12

0.118 (3.00 mm)

销1

指标

0.118

(3.00 mm)

0.008 (0.20 mm)

飞机座位

0.001

(0.02 mm)

正低电压控制（ 0 / 2.75 V操作）

低插入损耗（ < 0.5分贝@ 1千兆赫）

高隔离度（ > 25分贝@ 1千兆赫）

出色的IIP3 （ 63 dBm的@ 2.75 V， 27 dBm的/音）

微型QFN - 12塑料包装

pHEMT工艺

描述

该AS227-321是PHEMT的砷化镓集成电路SP3T天线开关

在900 MHz和1800 MHz频段运行。

天线和TX之间进行切换/ RX端口来完成

3控制输入。当控制输入端被驱动与

适当的电压，低插入损耗的路径被从设

天线端口到接收或发送端口，而另一端口具有

高衰减。

0.029

(0.73 mm)

裸露焊盘

0.009 (0.23 mm)

+ 0.003 (0.07 mm)

- 0.002 (0.05 mm)

0.007

(0.180 mm)

0.030

(0.75 mm)

± 0.002

(0.05 mm)

0.017

（ 0.435毫米） SQ 。

引脚1指示

0.057 （1.45 MM） SQ 。

+ 0.004 (0.10 mm)

- 0.006 (0.15 mm)

0 022 (0 55 mm)

电气规格在25 ° C（ 0 ， 2.75 V）

参数

插入损耗

ANT- RF1 ， RF2 ， RF3

频率

DC- 0.5 GHz的

DC- 1.0 GHz的

DC- 2.0 GHz的

DC- 0.5 GHz的

DC- 1.0 GHz的

DC- 2.0 GHz的

DC- 0.5 GHz的

DC- 1.0 GHz的

DC- 2.0 GHz的

30

24

18

分钟。

典型值。

0.45

0.50

0.70

32

26

20

18

18

14

马克斯。

0.6

0.7

0.9

单位

dB

dB

dB

dB

dB

dB

dB

dB

dB

隔离

ANT- RF1 ， RF2 ， RF3

回波损耗

ANT- RF1 ， RF2 ， RF3

工作特性，在25 ° C（ 0 ， 2.75 V）

参数

IIP3

第二/第三谐波

栅极漏电流

控制电压

条件

27 dBm的/音

34.5 dBm的

34 dBm的在@ 2.75 V

V

低

V

高

-0.25

2.60

频率

869分之824兆赫

900兆赫

分钟。

典型值。

63

65

50

0

2.75

0.25

5.00

马克斯。

单位

DBM

dBc的

µA

V

V

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