数据表• SC系列
典型的SPDT开关
BIAS
产量
C
2
C
3
BIAS
电气规格
产品型号
SC00080912
SC00120912
SC00180912
SC00260912
SC00380912
SC00560912
SC00680912
SC00820710
SC00821518
SC01000710
电容
（20％） pF的
0.8
1.2
1.8
2.6
3.8
5.6
6.8
8.2
8.2
10
10
10
15
22
33
47
68
100
333
500
1000
芯片尺寸
（1密耳）的
9万片/ 12万片
9万片/ 12万片
9万片/ 12万片
9万片/ 12万片
9万片/ 12万片
9万片/ 12万片
9万片/ 12万片
7万片/ 10万片
15密耳垫/ 18万片
7万片/ 10万片
9万片/ 12万片
15密耳垫/ 18万片
15密耳垫/ 18万片
15密耳垫/ 18万片
15密耳垫/ 18万片
15密耳垫/ 18万片
15密耳垫/ 18万片
24密耳垫/ 30万片
34密耳垫/ 40万片
44密耳垫/ 50万片
60密耳垫/ 68万片
输入1
C
1
D
1
D
2
C
4
输入2
C
2
, C
3
- 芯片MIS电容
C
1
, C
4
- 芯片或梁式引线MIS电容
D
1
, D
2
DSG9500梁式引线PIN二极管
SC01000912
SC01001518
SC01501518
SC02201518
SC03301518
SC04701518
SC06801518
SC10002430
SC33303440
SC50004450
SC99906068
例子
产品型号结构 - SCXXXXYYZZ
其中：
SC =硅电容
XXXX =电容（pF ）
YY =方形端子尺寸（密耳）
ZZ =方片尺寸（密耳）
10.0
1 pF的
插入损耗（dB ）
ZZ
± 0.001˚
1.0
8.2 pF的
100 pF的
47 pF的
100 pF的
1-47 pF的
0.10
YY
± 0.001˚
切屑厚度
0.005
± 0.001˚
0.01
2
6
10
14
18
频率（GHz ）
性能数据
在L和S波段节目的插入测试，典型的MIS电容
损失为1/2至三分之一即相当于陶瓷型电容器，
没有任何的相关联的共振问题。电源测试
表明，唯一的限制是实际的击穿电压
该装置的（参见数据部） 。典型插入损耗与
频率的关系曲线示于图1。这数据取自
实际测试电路具有串联地安装梁式引线或芯片
在50电容器
Ω
微带传输线。表观
在较低频率上的更低的电容单元的高损耗
是严格的，由于电容器的容抗。
图1.典型插入
损耗与频率（ 50
Ω
系统）
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2
2006年8月2日• Skyworks的专有信息•产品和产品信息如有变更，恕不另行通知。 • 200136版本C
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