数据表
SMV1135-004 ， SMV1135-004LF ：
超突变结变容二极管调谐
特点
高调谐比
●
低串联电阻
●
SOT- 23封装
●
专为大批量，低成本的应用
●
可在磁带和卷轴包装
●
可用铅（ Pb），且符合RoHS标准的MSL - 1 @ 260℃
根据JEDEC J- STD- 020
●
绝对最大额定值
特征
正向电流（I
F
)
价值
20毫安
250毫瓦
-55 ° C至+150°C
-55 ° C至+125°C
Ø类
描述
该SMV1135-004是一个表面安装的变容二极管的设计
对于非常高的电容调谐比具有低系列，而
性，这使得该装置特别有吸引力
VCO的宽带应用。
功耗（P
D
)
存储温度（T
ST
)
工作温度（T
OP
)
ESD人体模型
新
Skyworks公司提供铅（Pb ） - 免费，符合RoHS （限制的
有害物质）标准包装。
性能保证仅在在规格表中列出的条件，是
下的绝对最大规格所述的全范围（ S）不能保证。
超过任何绝对最大/最小规格的可导致永久
损坏设备，并会导致保修失效。
共阴极
SOT-23
SMV1135-004
标记： AG3
SMV1135-004LF
标记： EG3
LF表示铅（Pb ） - 免费，符合RoHS标准的封装选项作为替代
我们的标准锡/铅（Sn / Pb）的包装。
注意事项：
虽然此设备被设计成如作为鲁棒
可能的话， ESD （静电放电）可能会损坏
此设备。此设备必须在任何时候都受到保护
从ESD 。静电荷可以很容易地产生电位
几千伏，对人体tials或
设备，它可以排出而不被发现。
行业标准的ESD防范措施，必须采用
在任何时候。
电气规格在25℃
参数
反向电流（I
R
)
电容（C
T
)
电容比（C
TR
)
电容比（C
TR
)
串联电阻（R
S
)
击穿电压（V
BR
)
V
R
= 21 V
C
T
@ 1 V, V
R
= 1 V ， F = 1兆赫
C
T
（ 1 V） / C
T
(3 V)
C
T
（ 1 V） / C
T
(9 V)
V
R
= 1 V ， F = 500 MHz的
I
R
= 10
µA
28
8.2
1.47
3.7
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
20
10
1.76
4.5
1.2
Ω
V
单位
nA
pF
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200055 Rev. D的• Skyworks的专有信息•产品和产品信息如有变更，恕不另行通知。 • 2006年3月10日
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SKYWORKS [ SKYWORKS SOLUTIONS INC. ]
