3SK166 参数 Datasheet PDF下载

型号：	3SK166
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内容描述：	砷化镓N沟道双栅场效应管MES [GaAs N-channel Dual Gate MES FET]
分类和应用：	栅
文件页数/大小：	5 页 / 75 K
品牌：	SONY [ SONY CORPORATION ]

3SK166A

砷化镓N沟道双栅场效应管MES

对于这款产品的供货情况，请联系销售办事处。

描述

该3SK166A是N沟道双栅极的GaAs

MES FET的UHF频段低噪声放大。该

电路的匹配更容易为所有的UHF要作出

带，从而在优良的性能，由于

输入阻抗的优化设计。

特点

•

低电压操作

•

噪音低：在800MHz的NF = 1.2分贝（典型值）。

•

高增益：嘎= 20分贝（典型值）为800MHz

•

高稳定性

应用

UHF频带放大器，振荡器

结构

砷化镓N沟道双栅极金属半导体场效应晶体管

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

•

漏源极电压

DSX

•

1号门至源极电压

G1S

–6

•

2号门至源极电压

G2S

–6

•

漏电流

•

允许功耗

150

•

通道温度

总胆固醇

150

•

储存温度

TSTG

-55到+150

°C

索尼保留更改产品规格，恕不另行通知。本资料概不转让任何许可

任何专利或其他权利的任何暗示或其他方式。示出了应用电路，如果有的话，是示出典型的实施例

该装置的操作。索尼公司不承担因使用这些电路中的任何问题负责。

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E96Y11-PS

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